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Casa > prodotti > Chip a circuito integrato > Chip a circuito integrato a doppio inverter 74LVC2GU04GV, 125 da 1,65 V a 5,5 V

Chip a circuito integrato a doppio inverter 74LVC2GU04GV, 125 da 1,65 V a 5,5 V

Chip a circuito integrato a doppio inverter 74LVC2GU04GV, 125 da 1,65 V a 5,5 V
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Chip a circuito integrato a doppio inverter 74LVC2GU04GV, 125 da 1,65 V a 5,5 V
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Manica 6-TSOP di IC 2 dell'invertitore
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Ampia gamma di tensione di rifornimento:
1,65 V - 5,5 V
Ingresso/uscita:
Un ingresso/uscita tollerante di 5 V per collegare mediante interfaccia ad una logica di 5 V
Azionamento dell'uscita:
±24 mA
Prestazione del fermo-su:
supera 250 mA
Specificato da:
°C −40 a °C +85 e °C −40 a +125 °C.
Fonte dell'uscita di CC/corrente del lavandino:
±50
Punto culminante:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Introduzione

CARATTERISTICHE

• Ampio range di tensione di alimentazione da 1,65 V a 5,5 V

• Ingresso/uscita tollerante 5 V per l'interfacciamento con logica 5 V

• Elevata immunità ai disturbi

 

• Protezione ESD:

– HBM EIA/JESD22-A114-B supera 2000 V

– MM EIA/JESD22-A115-A supera i 200 V.

 

• Pilotaggio uscita ±24 mA (VCC = 3,0 V)

• CMOS a basso consumo energetico

• Le prestazioni di latch-up superano i 250 mA

• Molteplici opzioni di pacchetto

• Specificato da −40 °C a +85 °C e da −40 °C a +125 °C.

 

DESCRIZIONE

Il 74LVC2GU04 è un dispositivo CMOS Si-gate ad alte prestazioni, bassa potenza e bassa tensione, superiore alle famiglie TTL compatibili CMOS più avanzate.

 

L'ingresso può essere pilotato da dispositivi da 3,3 V o 5 V.Queste caratteristiche consentono l'utilizzo di questi dispositivi in ​​un ambiente misto a 3,3 V e 5 V.

 

Il 74LVC2GU04 fornisce due inverter.Ogni inverter è un monostadio con uscita non bufferizzata.

 

SIMBOLO PARAMETRO CONDIZIONI TIPICO UNITÀ
TPHL/TPLH

ritardo di propagazione

dall'ingresso nA all'uscita nY

 VCC = 1,8 V;CL = 30pF;RL=1kΩ 2.3 n.s
VCC = 2,5 V;CL = 30pF;RL = 500 Ω 1.8 n.s
VCC = 2,7 V;CL = 50pF;RL = 500 Ω 2.6 n.s
VCC = 3,3 V;CL = 50pF;RL = 500 Ω 2.3 n.s
CIO capacità di ingresso   5 pF
CPD capacità di dissipazione di potenza per gate VCC = 3,3 V;note 1 e 2   pF

 

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