Invia messaggio
Casa > prodotti > L'amplificatore IC scheggia > Lincmose Amplificatori operazionali programmabili a bassa potenza TLC271CDR

Lincmose Amplificatori operazionali programmabili a bassa potenza TLC271CDR

fabbricante:
Texas Instruments
Descrizione:
Circuito per tutti gli usi 8-SOIC dell'amplificatore 1
Categoria:
L'amplificatore IC scheggia
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di rifornimento, VDD:
18V
Tensione dell'ingresso differenziale, VID:
±VDD
Gamma di tensione in ingresso, VI (qualsiasi input):
– 0,3 V - VDD
Corrente di ingresso, II:
±5 mA
corrente d'uscita, IO:
±30 mA
Gamma di temperature di stoccaggio:
– 65°C a 150°C
Punto culminante:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introduzione

 

LinCMOSTMAMPLIFICATORI OPERATIVI PROGRAMMABILI A BASSA POTENZA

 

*Input Offset Voltage Drift ...Tipicamente

0,1 µV/mese, compresi i primi 30 giorni

*Ampia gamma di tensioni di alimentazione oltre

Intervallo di temperatura specificato:

da 0°C a 70°C ...da 3 V a 16 V

da –40°C a 85°C ...da 4 V a 16 V

da –55°C a 125°C ...da 5 V a 16 V

*Funzionamento a fornitura singola

*Intervallo di tensione di ingresso in modalità comune

Si estende sotto il binario negativo (suffisso C e

Tipi di suffisso I)

*Rumore basso ...25 nV/√Hz Tipicamente a

f = 1 kHz (modalità ad alta polarizzazione)

*L'intervallo di tensione di uscita include la guida negativa

*Alta impedenza di ingresso...1012Ω tip

* Circuito di protezione ESD

*Disponibile anche l'opzione pacchetto Small-Outline

in nastro e bobina

*Immunità Latch-Up progettata

 

descrizione

L'amplificatore operazionale TLC271 combina un'ampia gamma di gradi di tensione di offset in ingresso con una bassa deriva della tensione di offset e un'elevata impedenza di ingresso.Inoltre, il TLC271 offre una modalità di selezione del bias che consente all'utente di selezionare la migliore combinazione di dissipazione di potenza e prestazioni CA per una particolare applicazione.Questi dispositivi utilizzano LinCMOS silicon-gate di Texas InstrumentsTMtecnologia, che fornisce una stabilità della tensione di offset di gran lunga superiore alla stabilità disponibile con i tradizionali processi metal-gate.

 

CARATTERISTICHE DEL DISPOSITIVO

PARAMETRO† MODALITÀ SELEZIONE BIAS UNITÀ
ALTO MEDIO BASSO
PD 3375 525 50 µW
SR 3.6 0.4 0.03 V/µs
vN 25 32 68 nV/√Hz
B1 1.7 0,5 0.09 Mhz
UNVD 23 170 480 V/mV

Tipico a VGG= 5 V, tUN= 25°C

 

schematico equivalente

 

valori nominali massimi assoluti rispetto alla temperatura operativa all'aria aperta

(se non diversamente specificato)†

Tensione di alimentazione VGG(vedi nota 1)...................................................18 v

Tensione di ingresso differenziale, VID(vedi nota 2).......................................... ..±VGG

Intervallo di tensione in ingresso, VIO(qualsiasi input)...........................................– 0,3 V a VGG

Corrente di ingresso, IIO.................................................................±5mA

Corrente di uscita, IO..............................................................±30mA

Durata della corrente di cortocircuito a (o inferiore) 25°C (vedi Nota 3) ...... ....................Illimitato

Dissipazione totale continua.....................................Vedere la tabella dei valori di dissipazione

Temperatura di esercizio in aria libera, TUN: suffisso C.....................................da 0,0 °C a 70 °C

suffisso ....................................– da 40°C a 85°C

Suffisso M...................................– da 55°C a 125°C

Intervallo di temperatura di stoccaggio...............................................– da 65°C a 150°C

Temperatura della custodia per 60 secondi: pacchetto FK .......................................260°C

Temperatura del piombo 1,6 mm (1/16 di pollice) dalla custodia per 10 secondi: confezione D o P ..............260°C

Temperatura del piombo 1,6 mm (1/16 di pollice) dalla cassa per 60 secondi: pacchetto JG .................300°C

 

† Sollecitazioni superiori a quelle elencate in "valori massimi assoluti" possono causare danni permanenti al dispositivo.Questi sono solo livelli di sollecitazione e il funzionamento funzionale del dispositivo in queste o in qualsiasi altra condizione oltre a quelle indicate nelle "condizioni operative consigliate" non è implicito.L'esposizione a condizioni di massimo assoluto per periodi prolungati può influire sull'affidabilità del dispositivo.

NOTE: 1. Tutti i valori di tensione, ad eccezione delle tensioni differenziali, sono riferiti alla terra della rete.

2. Le tensioni differenziali sono a IN+ rispetto a IN–.

3. L'uscita potrebbe essere in cortocircuito su una delle due alimentazioni.La temperatura e/o le tensioni di alimentazione devono essere limitate per garantire

che non venga superato il valore massimo di dissipazione (vedi sezione applicazione).

 

TABELLA DEI VALORI DI DISSIPAZIONE

PACCHETTO

TUN≤ 25°C

LIVELLO DI POTENZA

FATTORE DI DEDERAZIONE

SOPRA TUN= 25°C

TUN= 70°C POTENZA NOMINALE

TUN= 85°C

LIVELLO DI POTENZA

TUN= 125°C

LIVELLO DI POTENZA

D 725 mW 5,8 mW/°C 464 mW 377 mW 145 mW
FK 1375 mW 11,0 mW/°C 880 mW 715 mW 275 mW
JG 1050 mW 8,4 mW/°C 672 mW 546 mW 210 mW
P 1000 mW 8,0 mW/°C 640 mW 520 mW 200 mW

      

Condizioni Operative Raccomandate

  SUFFISSO C SUFFISSO SUFFISSO M UNITÀ
MINIMO MASSIMO MINIMO MASSIMO MINIMO MASSIMO
Tensione di alimentazione VGG 3 16 4 16 5 16 v

Modalità comune

tensione di ingresso VCIRCUITO INTEGRATO

vGG= 5 V –0,2 3,5 –0,2 3,5 0 3.5 v
vGG= 10 V –0,2 8,5 –0,2 8,5 0 8.5
Temperatura di esercizio in aria libera, TUN 070 –40 85 –55 125 °C

 

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
Amplificatore operazionale doppio IC dell'ingresso/uscita della Ferrovia--ferrovia di LMC6482IMX/NOPB Cmos

Amplificatore operazionale doppio IC dell'ingresso/uscita della Ferrovia--ferrovia di LMC6482IMX/NOPB Cmos

CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DRV602PWR

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DRV602PWR

Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
OPA335AIDR Chip per circuiti integrati elettronici CMOS APPLIFIANTI OPERATIVI

OPA335AIDR Chip per circuiti integrati elettronici CMOS APPLIFIANTI OPERATIVI

Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Tasso di pantano per tutti gli usi del circuito 14 SOIC 11 V/ΜS dell'amplificatore 4 di OPA4228UA

Tasso di pantano per tutti gli usi del circuito 14 SOIC 11 V/ΜS dell'amplificatore 4 di OPA4228UA

General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
Il circuito integrato Chipjfet di TL082CP ha introdotto l'alto tasso di pantano dell'amplificatore operazionale

Il circuito integrato Chipjfet di TL082CP ha introdotto l'alto tasso di pantano dell'amplificatore operazionale

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
TAS5162DKDR STOCK NUOVO E ORIGINALE

TAS5162DKDR STOCK NUOVO E ORIGINALE

Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
TL062CDR STOCK NUOVO E ORIGINALE

TL062CDR STOCK NUOVO E ORIGINALE

J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
LM324N STOCK NUOVO E ORIGINALE

LM324N STOCK NUOVO E ORIGINALE

General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs