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Casa > prodotti > Chip a circuito integrato > HEF40106BT,653 circuito integrato elettronico Circuito integrato Chip Hex che inverte trigger Schmitt

HEF40106BT,653 circuito integrato elettronico Circuito integrato Chip Hex che inverte trigger Schmitt

HEF40106BT,653 circuito integrato elettronico Circuito integrato Chip Hex che inverte trigger Schmitt
HEF40106BT,653 circuito integrato elettronico Circuito integrato Chip Hex che inverte trigger Schmitt
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Inverter IC 6 canali Schmitt Trigger 14-SO
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di isteresi:
0,8 - 1,8 V
Tensione in ingresso positivo-andante di commutazione dei livelli:
3,0 - 8,3 V
tensione in ingresso negativo-andante:
2,2 - 6,5 V
LIVELLO di ritardi di propagazione al MINIMO:
90 a 30 NS
LIVELLO di tempi di transizione dell'uscita al MINIMO:
60 a 20 NS
Pacchetto:
SOT27-1, SOT73, SOT108-1
Punto culminante:

integrated circuit ic

,

integrated circuit components

Introduzione

 

HEF40106B

cancelli

Innesco di Schmitt con inversione esadecimale

 

DESCRIZIONE

Ogni circuito dell'HEF40106B funziona come un inverter con azione Schmitt-trigger.Il trigger di Schmitt commuta in punti diversi per i segnali di ingresso positivi e negativi.La differenza tra la tensione positiva (VP) e la tensione negativa (VN) è definito come tensione di isteresi (VH).

Questo dispositivo può essere utilizzato per una maggiore immunità al rumore o per "raddrizzare" le forme d'onda che cambiano lentamente.

 

HEF40106BP(N): DIL a 14 conduttori;plastica (SOT27-1)

HEF40106BD(F): DIL a 14 conduttori;ceramica (cerdip) (SOT73)

HEF40106BT(D): SO a 14 conduttori;plastica (SOT108-1)

 

CARATTERISTICHE CC

VSS = 0 V;Tam = 25 °C

 

VDD

v

 SIMBOLO MIN.TIPO.MASSIMO.UNITÀ

Isteresi

voltaggio

 

5

10

15

 vH

0,5 0,8 V

0,7 1,3 V

0,9 1,8 V

Livelli di commutazione

positivo

tensione di ingresso

5

10

15

 vP

2 3,0 3,5 V

3,7 5,8 7 V

4,9 8,3 11 V

negativo

tensione di ingresso

 

5

10

15

 vN

1,5 2,2 3 V

3 4,5 6,3 V

4 6,5 10,1 V

 

Fig.1 Schema funzionale.

 

 

Fig.2 Schema di fissaggio.

Fig.3 Schema logico (un inverter).

  

 

Fig.4 Caratteristica di trasferimento.

 

Fig.5 Forme d'onda che mostrano la definizione di VP, vNe vH, dove vNe vPsono compresi tra i limiti del 30% e del 70%.

 

 

 

Offerta di azioni (vendita a caldo)

Parte n. Qtà MFG CC Pacchetto
XC6SLX45-2FG484C 103 Xilinx 15+ BGA
ZMM6V8 12000 ST 15+ LL34
P0603BDL 30000 NIKOS 16+ TO-252
OQ2538HP 8320 FILIPPI 10+ QFP
MMBT2907ALT1G 20000 SU 16+ SOT-23
MMBTA42LT1G 20000 SU 16+ SOT-23
MCP73831T-2ACI/OT 5578 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MSP430F148IPMR 6666 TI 15+ TQFP
LTC4411ES5#TRPBF 6311 LINEARE 14+ SOT
L4960 3257 ST 08+ TO220-5
MSP430F1222IDW 6617 TI 15+ SOP
LM431ACZ 10000 FSC 13+ TO-92
MJD127T4 14000 SU 14+ TO-263
A2C56211 3660   14+ SOP20
LMC555CMM 5706 NSC 14+ MSOP-8
MUR2100ERLG 25000 SU 16+ DO-41
MX25L4006EM1I-12G 10000 MXIC 16+ SOP
LM2674MX-ADJ 1892 NSC 12+ SOIC-8
MLX10407 3100 MELEXIS 14+ SOP
LM324APWR 10000 TI 12+ TSSOP-14
M27C512-10C1 3984 ST 10+ PLCC

 

 

 

 

 

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