TPCA8109 (TE12L1, V IC Chip Integrated Circuit Chip Program Memory
Specifiche
Gamma di temperature:
°C -50 - +150
termine di pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensione:
30 V
Corrente:
5A
Pacchetto:
SOP-8
Pacchetto della fabbrica:
Bobina
Punto culminante:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
Introduzione
Tipo MOS a canale P in silicio a transistor ad effetto di campo (U-MOSⅥ)TPCA8109Applicazioni per batterie agli ioni di litio Applicazioni per interruttori di gestione dell'alimentazione
Caratteristiche
• Ingombro ridotto grazie alla confezione piccola e sottile
• Resistenza ON drain-source bassa: RDS (ON) = 7 mΩ (tip.)
• Bassa corrente di dispersione: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −30 V)
• Modalità potenziamento: Vth = da −0,8 a −2,0 V (VDS = −10 V, ID = −0,5 mA)
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE(1) |
Tensione drain-source VDSS −30 V
Tensione drain-gate (RGS = 20 kΩ) VDGR −30 V
Tensione gate-source VGSS −25/+20 V
DC (Nota 1) ID −24 Corrente di drain Pulsata (Nota 1)
IDP −72 A Dissipazione potenza drain (Tc=25°C) PD 30 W
Potenza dissipata in drain (t = 10 s) (Nota 2a) PD 2,8 W
Potenza dissipata (t = 10 s) (Nota 2b) PD 1,6 W
Energia a valanga a singolo impulso (Nota 3) EAS 75 mJ
Corrente di valanga IAR −24 A
Temperatura del canale Tch 150 °C
Intervallo di temperatura di stoccaggio Tstg da −55 a 150 °C
|
PARTE DEL MAGAZZINO
ATMEGA328P-MU | TLP620GB |
RX73BW3ATTE620J | LPC812M101JDH20FP |
1SMA5932BT3G | ESDA6V1L |
BC856BT | TLC59283DBQR |
SN74LS244N | CA3140EZ |
ADA4528-2ARMZ | IRFZ46NPBF |
OPA07CSZ | IRF4905PBF |
742792118* | A30-400 |
OPA333AIDCKR | A30-500 |
SAK-C167CS-LMCA | A30-600 |
ATM46C3 | A30-800 |
A2C56211 | HFJ11-2450E-L21 |
U705 SDIC03 | CR2354/HFN |
BP3125 | TMS320VC5402PGE100 |
PIC16F883-I/SO | PCA9534DW |
PIC16F883-I/SO | BD677A |
IRPE50 | TZM5237B-GS08 |
VT6315N | TZM5256B-GS08 |
SKA3/17 | TOP232PN |
STK672-040E | IS31AP4991-GRLSZ-TR |
AM29F400BT-70ED | NCS2211DR2G |
TL7705ACDR | LM4861MX |
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