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TC74ACT00FTEL Circuito integrato Chip QUAD 2 INPUT NAND GATE

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Manica 14-TSSOP di NAND Gate IC 4
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
lavoro temperatura-massimo:
+ 150°C
temperatura-min di lavoro:
-65°C
Gamma di tensione di rifornimento:
−0.5V a 7.0V
Scheda:
Contattici prego
Introduzione

 

 

 

TC74ACT00F circuito integrato Chip QUAD 2 INPUT NAND GATE

 

 

Il TC74ACT00 è un avanzato CMOS 2-INPUT NAND GATE ad alta velocità fabbricato con gate in silicio e tecnologia C2MOS con cablaggio metallico a doppio strato.

 

Raggiunge il funzionamento ad alta velocità simile all'equivalente bipolare Schottky TTL mantenendo la bassa dissipazione di potenza CMOS.

 

Questo dispositivo può essere utilizzato come convertitore di livello per interfacciare TTL o NMOS a CMOS ad alta velocità.Gli ingressi sono compatibili con i livelli di tensione di uscita TTL, NMOS e CMOS.

 

 

Tutti gli ingressi sono dotati di circuiti di protezione contro scariche statiche o sovratensioni transitorie.

 

 

Caratteristiche

 

Alta velocità: tpd = 4,0 ns (tip.) a VCC = 5 V

 

Bassa dissipazione di potenza: ICC = 4 μA (max) a Ta = 25°C

 

Compatibile con uscite TTL: VIL = 0,8 V (max) VIH = 2,0 V (min)

 

Impedenza di uscita simmetrica: |IOH|= IOL = 24 mA (min) Capacità di pilotare linee di trasmissione da 50 Ω.

Ritardi di propagazione bilanciati: tpLH ∼− tpHL

Pin e funzione compatibili con 74F00

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Valutazioni massime assolute

 

 

Caratteristiche Simbolo Valutazione Unità
Intervallo di tensione di alimentazione VCC Da -0,5 a 7,0 v
Tensione di ingresso CC VIN Da −0,5 a VCC + 0,5 v
Tensione di uscita CC VOUT Da −0,5 a VCC + 0,5 v
Corrente del diodo di ingresso IIK ±20 mA
Corrente del diodo di uscita Ok ±50 mA
Corrente di uscita CC IO FUORI ±50 mA
DC VCC/corrente di terra ICC ±100 mA
Dissipazione di potenza PD 500 (DIP) (Nota 2)/180 (SOP/TSSOP) mW
Temperatura di conservazione Tstg Da −65 a 150 °C

 

 

Nota 1: Il superamento di uno qualsiasi dei valori massimi assoluti, anche per breve tempo, porta al deterioramento delle prestazioni del circuito integrato o addirittura alla distruzione.L'uso continuo in presenza di carichi pesanti (ad es. l'applicazione di temperatura/corrente/tensione elevate e cambiamenti significativi di temperatura, ecc.) può causare una riduzione significativa dell'affidabilità di questo prodotto anche se le condizioni operative (ad es. temperatura/corrente/tensione di funzionamento, ecc.) rientrano nei valori nominali massimi assoluti e nei campi operativi.Si prega di progettare l'affidabilità appropriata esaminando il manuale sull'affidabilità dei semiconduttori Toshiba ("Precauzioni per l'uso"/"Concetto e metodi di declassamento") e i singoli dati di affidabilità (ad es. report del test di affidabilità e tasso di guasto stimato, ecc.).

 

 

 

Nota 2: 500 mW nell'intervallo Ta = da −40 a 65°C.Da Ta = 65 a 85°C deve essere applicato un fattore di declassamento di −10 mW/°C fino a 300 mW.

 

 

Intervalli operativi (nota)

 

Caratteristiche Simbolo Valutazione Unità
Tensione di alimentazione VCC da 4,5 a 5,5 v
Tensione di ingresso VIN 0 a VCC v
Tensione di uscita VOUT 0 a VCC v
Temperatura di esercizio Topr −40 a 85 °C
Immettere il tempo di salita e discesa dt/dV da 0 a 10 ns/V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Offerta di vendita calda!!!

 

 

P/N QUANTITÀ PACCHETTO CC
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LNK306PN 8000 DIP-7 NUOVO
LNK616DG-TL 4323 sop7 NUOVO
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TNY266GN 5243 SOP7 NUOVO
TNY253GN 3763 SOP8 NUOVO
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PT2311 2725 SOP28 NUOVO
MOC3010SD 3000 SMD6 NUOVO
MOCD211M 3220 SOP8 NUOVO
MCT6 8236 DIP8 NUOVO
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4N35 90000 IMMERSIONE NUOVO
MOC217R2 1218 SOP8 NUOVO
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MOCD211M 20000 SOP8 NUOVO
RDA5851SX 5076 BGA NUOVO
RDA5875Y 500 QFN NUOVO
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