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Computer Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated di Powertrench di Manica di N

Computer Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated di Powertrench di Manica di N
Computer Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated di Powertrench di Manica di N
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SOIC di N-Manica 30 V 14.5A (tum)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
negotiation
Metodo di pagamento:
T/T in anticipo o altri
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
30V
Linea principale:
CI, modulo, transistor, diodi, condensatore, resistenza ecc
Tensione di Portone-fonte:
±20V
Temperatura:
-50-+150°C
Pacchetto della fabbrica:
2500PCS/REEL
Pacchetto:
SOP-8
Punto culminante:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introduzione

Computer Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated di Powertrench di Manica di N

azione originali dei componenti elettronici di PowerTrench FDS6676AS di N-Manica 30V

Descrizione generale

Il FDS6676AS è destinato per sostituire un singoli MOSFET SO-8 e diodo Schottky in sincrono

CC: Alimentatori in CC. Questo MOSFET 30V è destinato per massimizzare l'efficienza di trasformazione dell'energia, fornendo un RDS basso (SOPRA) e la tassa bassa del portone. Il FDS6676AS include un diodo Schottky integrato facendo uso della tecnologia monolitica dello SyncFET di Fairchild.

Applicazioni

• Convertitore di DC/DC

• Taccuino laterale basso

Caratteristiche

• 14,5 A, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (SOPRA) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 di V RDS (SOPRA) @ VGS = 4,5 V

• Include il diodo del corpo di SyncFET Schottky

• Tassa bassa del portone (45nC tipici)

• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA) e la commutazione veloce

• Alto potere e capacità di trattamento corrente

Valutazioni massime assolute TA=25o C salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro Valutazione Unità
VDSS Tensione di Scolo-fonte 30 V
VGSS Tensione di Portone-fonte ±20 V
Identificazione

Vuoti corrente – continuo (nota 1a)

– Pulsato

 14,5
50
Palladio

Dissipazione di potere per la singola operazione (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 2,5 W
1,5
1
TJ, TSTG Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento – 55 - +150 °C

Caratteristiche termiche

RθJA Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 1a) 50 W/°C
RθJC Resistenza termica, Giunzione--caso (nota 1) 25

Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione

Segno del dispositivo Dispositivo Dimensione della bobina Larghezza del nastro Quantità
FDS6676AS FDS6676AS 13" 12MM 2500 unità
FDS6676AS FDS6676AS_NL 13" 12MM 2500 unità

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