Computer Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated di Powertrench di Manica di N
electronic chip board
,electronic components ic
Computer Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated di Powertrench di Manica di N
azione originali dei componenti elettronici di PowerTrench FDS6676AS di N-Manica 30V
Descrizione generale
Il FDS6676AS è destinato per sostituire un singoli MOSFET SO-8 e diodo Schottky in sincrono
CC: Alimentatori in CC. Questo MOSFET 30V è destinato per massimizzare l'efficienza di trasformazione dell'energia, fornendo un RDS basso (SOPRA) e la tassa bassa del portone. Il FDS6676AS include un diodo Schottky integrato facendo uso della tecnologia monolitica dello SyncFET di Fairchild.
Applicazioni
• Convertitore di DC/DC
• Taccuino laterale basso
Caratteristiche
• 14,5 A, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (SOPRA) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 di V RDS (SOPRA) @ VGS = 4,5 V
• Include il diodo del corpo di SyncFET Schottky
• Tassa bassa del portone (45nC tipici)
• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA) e la commutazione veloce
• Alto potere e capacità di trattamento corrente
Valutazioni massime assolute TA=25o C salvo indicazione contraria
Simbolo | Parametro | Valutazione | Unità |
VDSS | Tensione di Scolo-fonte | 30 | V |
VGSS | Tensione di Portone-fonte | ±20 | V |
Identificazione |
Vuoti corrente – continuo (nota 1a) – Pulsato |
14,5 | |
50 | |||
Palladio |
Dissipazione di potere per la singola operazione (nota 1a) (Nota 1b) (Nota 1c) |
2,5 | W |
1,5 | |||
1 | |||
TJ, TSTG | Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento | – 55 - +150 | °C |
Caratteristiche termiche
RθJA | Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 1a) | 50 | W/°C |
RθJC | Resistenza termica, Giunzione--caso (nota 1) | 25 |
Marcatura del pacchetto ed informazioni di ordinazione
Segno del dispositivo | Dispositivo | Dimensione della bobina | Larghezza del nastro | Quantità |
FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500 unità |
FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500 unità |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
