Planare epitassiale di si del supporto di Chips Surface del circuito dei transistor BCP55
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie bipolare SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
0.1USD
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Dissipazione di potere:
1,3 W
Custodia in plastica:
SOT-223
Tensione:
30V
Caratteristiche:
La materia plastica ha classificazione dell'UL
Peso approssimativamente:
0,04 g
Tipo:
Transistor
Punto culminante:
circuit board ic
,electronic chip board
Introduzione
I transistor BCP55 sorgono per montare planare Si-epitassiale
Dissipazione di potere – Verlustleistung 1,3 W
Custodia in plastica SOT-223
Kunststoffgehäuse
Peso approssimativamente – Gewicht CA 0,04 g
La materia plastica ha classificazione 94V-0 dell'UL
Klassifiziert di Gehäusematerial UL94V-0
Imballaggio standard legato ed annaspato
Auf standard Rolle del gegurtet di Lieferform
Resistenza termica – Wärmewiderstand
giunzione al umgebender aero- ambientale Luft di zu di Sperrschicht
giunzione a punto di saldatura – zu Lötpad di Sperrschicht
Transistor complementari raccomandati di PNP
Komplementäre PNP-Transistoren di Empfohlene
| BCP 54 | BCP 55 | BCP 56 | ||
|
BCP 54
|
VCE0
|
45 V
|
60 V
|
80 V
|
|
Collettore-Emettitore-tensione B aperta |
VCB0
|
45 V | 60 V | 100 V |
|
Collettore-Base-tensione E aperta |
VEB0
|
5V | ||
| Emettitore-Base-tensione C aperta |
Ptot
|
1.3W | ||
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Di riserva:
MOQ:
5 PCS