Componenti elettronici originali del diodo di commutazione di BAS16LT1G, transistor integrato
Specifiche
TUM:
= 25°C
Tensione:
Regolabile
ver:
= 75 VCC
TJ:
= 150°C
F:
= 1,0 megahertz
Tipo:
Diodo
Punto culminante:
circuit board ic
,electronic components ic
Introduzione
Diodo di commutazione di BAS16LT1G
Caratteristiche
I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
Le valutazioni massime sono quei valori oltre quale danno del dispositivo può accadere.
Le valutazioni massime si sono applicate al dispositivo sono diversi valori limite di sforzo (non
le condizioni operative normali) e sono simultaneamente invalide. Se questi limiti
sono oltrepassati, dispositivo che l'operazione funzionale non è implicata, danno può accadere
e l'affidabilità può essere colpita.
Per informazioni sulle specifiche della bobina e del nastro,
compreso le dimensioni di orientamento e del nastro della parte, per favore
riferisca al nostro nastro ed annaspi specifiche d'imballaggio
Opuscolo, BRD8011/D.
Dispositivo
|
Pacchetto
|
† Di spedizione
|
BAS16LT1
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SOT−23
|
3000/Tape & bobina
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BAS16LT1G
|
SOT−23 (Pb−Free)
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3000/Tape & bobina
|
BAS16LT3
|
SOT−23
|
10000/Tape & bobina
|
BAS16LT3G |
SOT−23 (Pb−Free)
|
10000/Tape & bobina |
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