Componenti elettronici originali del fornitore del RELÈ PHOTOMOS SPNO Cina di AQY210EH nuovi &
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Stato solido SPST-NO (1 forma A) 4-DIP (0,300", 7.62mm)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
0.1USD
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione:
350V
Caratteristiche:
Più di 0,4 millimetri di isolamento interno
Descrizione:
Q eccezionale ed alto SRFs
Temperatura:
/
Uso:
/
Tipo:
Chip di IC
Punto culminante:
circuit board ic
,electronic components ic
Introduzione
RELÈ PHOTOMOS SPNO DI AQY210EH
CARATTERISTICHE
1. Tipo dell'isolamento rinforzato 5.000 V
Più di 0,4 millimetri di isolamento interno DIS
tance fra gli input e le uscite. Raggiro
forme a EN41003, EN60950 (isolamento rinforzato).
2. Dimensione compatta della IMMERSIONE di 4 perni
Il dispositivo viene in un compatto
(W) 6.4× (L) 4.78× (H) 3.2mm
(W) .252× (L) .188× (H) .126INCH,
dimensione della IMMERSIONE 4-pin.
3. Controlla i segnali analogici a basso livello
I relè di PhotoMOS caratterizzano estremamente - il minimo
tensione di derivazione a circuito chiuso da permettere a
controllo dei segnali analogici a basso livello senza
distorsione.
4. Alta sensibilità, bassa su resistenza
Può controllare un 0,13 massimo un carico corrente con una corrente di ingresso di 5 mA.
Minimo su resistenza di 25Ω (AQY210EH).
Operazione stabile perché non ci sono parti metalliche del contatto.
5. A basso livello fuori da perdita dello stato corrente
Lo SSR ha fuori una corrente di perdita dello stato
di parecchi milliampere, mentre il Pho-
il relè del toMOS ha PA soltanto 100 anche con
la tensione del carico nominale di 350 V
(AQY210EH).
APPLICAZIONI TIPICHE
• Modem
• Apparecchio telefonico
• Dotazioni di sicurezza
• Sensori
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