Circuito di PIN Photodiode del silicio di Schaltzeit del kurzer del sehr del mit di Silizium-PIN-Fotodiode di SFH229FA CI
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Parte radiale del fotodiodo 900nm 10ns 34°
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Cima; Tstg:
– °C 55… + 100
ST:
230 °C
ver:
20 V
IDM:
70 A
Ptot:
150 Mw
Punto culminante:
circuit board ic
,electronic components ic
Introduzione
Silicio PIN Photodiode con tempo di commutazione molto breve
Caratteristiche
●Particolarmente adatto ad applicazioni da 380 nanometro a 1100 nanometro (SFH 229) e di 880 nanometro (SFH 229 FA)
●Breve tempo di commutazione (tipo. 10 NS)
●un pacchetto di plastica da 3 millimetri LED
●Inoltre disponibile su nastro
Applicazioni
●Photointerrupters
●Elettronica industriale
●Per i circuiti di azionamento e di controllo
Anwendungen
●Und Wechselbetrieb di Gleich- del für di Lichtschranken
●Industrieelektronik
●«Messen/Steuern/Regeln»
Valutazioni massime
|
Bezeichnung Descrizione |
Simbolo Simbolo |
Wert Valore |
Einheit Unità |
|
Und Lagertemperatur di Betriebs- Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento |
Cima; Tstg | – 55… + 100 | °C |
| Temperatura di saldatura di Löttemperatur (Lötstelle 2 millimetri del vom di Gehäuse del entfernt di bei di ≤ 3 s di Lötzeit t) in una distanza di 2 millimetri dal fondo di caso (≤ 3 s di t) | ST | 230 | °C |
| Tensione inversa di Sperrspannung | VR | 20 | V |
| Dissipazione di potere totale di Verlustleistung | Ptot | 150 | Mw |
ELENCO DI COLLEZIONI
| OZ2532SN | 8380 | MICRON | 16+ | SSOP |
| LTC4412ES6 | 6298 | LINEARE | 16+ | BEONE |
| OZ811LN | 8400 | MICRON | 16+ | QFN |
| MAX872CSA | 9200 | MASSIMO | 16+ | CONTENTINO |
| NE3508M04-T2-A | 17040 | NEC | 16+ | SOT-343 |
| L6203 | 2762 | St | 16+ | ZIP |
| MG75J1BS11 | 620 | TOSHIBA | 15+ | MODULO |
| MJL21193+MJL21194 | 9200 | SU | 15+ | TO-3PL |
| 35080 | 3010 | St | 10+ | SOP-8 |
| LM741CH | 538 | NSC | 13+ | CAN-8 |
| MC14504BDT | 4575 | SU | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CDBR | 11000 | TI | 15+ | SSOP |
| 6MBI100FA-060 | 438 | FUJI | 15+ | MODULO |
| MAX6350MJA | 4381 | MASSIMO | 14+ | CDIP |
| RA45H4452M | 250 | MITSUBISH | 11+ | MODULO |
| YMF719E-S | 100 | YAMAHA | 09+ | TQFP |
| MAX3232CSE | 10000 | MASSIMO | 16+ | CONTENTINO |
| MC145428P | 7634 | MOT | 16+ | IMMERSIONE |
| R1127NC32P | 600 | WESTCODE | 13+ | MODULO |
| CM600HG-130H | 203 | MITSUBI | 15+ | MODULO |
| LMG7420PLFC-X | 842 | HITACHI | 13+ | 5.1LCD |
| ZVN3306FTA | 90000 | ZETEX | 14+ | SOT23 |
| MY4-DC12V | 3920 | OMROM | 14+ | IMMERSIONE |
| MR5060 | 6274 | SHINDENGE | 14+ | ZIP |
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs