Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere
Caratteristica
Costruzione a basso rivestimento
Basso calo di tensione in avanti
Basso tasso di perdita di corrente inversaCapacità di corrente di sovraccarico avanzata
Saldatura ad alta temperatura garantita:
260°C/10 secondi/.375°C (9,5 mm) GROUPh a 5 lbs (2,3 kg) tensione
DATI MECHANICI
Caso: plastica stampata per trasferimento
poxy: ritardante della fiamma UL94V-O
Polarità: la banda di colore indica l'estremità del catodo
Piombo: piombo assiale placcato, soldato secondo il metodo MIL-STD-202E 208C
Posizione di montaggio: qualsiasi
Peso: 0,012 once, 0,33 grammi
Classificazione massima e caratteristiche elettriche
· Per la temperatura ambiente di 25°C, salvo diversa indicazione · per la fase singola, la mezza onda, i 60 Hz, il carico resistivo o induttivo · per il carico capacitivo la corrente di scarico è del 20%
Tensione massima RMS | SIMBOLI | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | Unità |
Tensione di blocco massima in CC |
Vrrm |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V. |
Corrente rettificata media massima in avanti 0,375 ̊ (9,5 mm) GROUPH di leCM di piombo a TA= 25°C | Vrms | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V. |
Corrente di picco di avvolgimento di 8,3 mS, ondata sinusoidale singola a metà sovrapposta al carico nominale (metodo JEDEC) | V.DC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V. |
Tensione massima immediata di avanzamento @ 1,0A | (Av) | 1.0 | A | ||||||
Massima inversione in CCTA = 25°C Corrente nominale Blocco della corrente continuaTA=100VTensione per elemento |
IFSM | 5.0 | μA | ||||||
Vf | 50 | μA | |||||||
Corrente inversa massima a pieno carico, media del ciclo intero 0,375 ⋅ 9,5 mm di leCM GROUPh a TL=75°C | - Sì. | 30 | μA | ||||||
Capacità tipica di giunzione (nota 1) | Cj | 13 | μA | ||||||
Resistenza termica tipica (nota 2) | RθJA | 50 | °C /w | ||||||
Intervallo di temperatura delle giunzioni di funzionamento | Tj | -55 a +150 | °C | ||||||
Intervallo di temperatura di stoccaggio | TSTG | -55 a +150 | °C |
Nota:
1Misurata a 1,0 MHz e tensione inversa applicata di 4,0 V CC.
2. Resistenza termica dalla giunzione al terminale con pad di rame di 6,0 mm2 per ciascun terminale.
3La dimensione del chip è di 40 millimetri per 40 millimetri.
MT3cultura e cultura
AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE
BAT54HT1G Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE
BAT54SLT1G Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
BAT54A Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
TIL117M Componenti elettronici circuito integrato chip programma memoria
Diodi di Zener in vetro di silicio passivato da 1,0 Watt Diodi di Zener in vetro di giunzione passivata Diodo di Zener in silicio 1n4733A
NDT456P Direttore diodo P-Channel Enhancement Mode Transistor a effetto campo
TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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MT3cultura e cultura |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP Flash Memory IC NUOVO E ORIGINALE |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chip per circuiti integrati elettronici NUOVO E ORIGINALE |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Componenti elettronici circuito integrato chip programma memoria |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Diodi di Zener in vetro di silicio passivato da 1,0 Watt Diodi di Zener in vetro di giunzione passivata Diodo di Zener in silicio 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
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NDT456P Direttore diodo P-Channel Enhancement Mode Transistor a effetto campo |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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