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Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere

fabbricante:
Semi ON / Semi Catalizzatore
Descrizione:
Diodo 1000 V 1A attraverso il foro DO-41
Categoria:
Componenti elettronici
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pacco:
DO-41
Imballaggio:
5000pcs/Box
Spedizione:
DHL, Fedex, TNT, SME ecc
Corrente:
1.0A
Temperatura:
-55 - +150 ℃
Voltaggio:
50-1000V
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Diodo rettificatore di tipo ponte 1N4007 da 50 a 1000 volt 1,0 Ampere

Caratteristica

Costruzione a basso rivestimento

Basso calo di tensione in avanti

Basso tasso di perdita di corrente inversaCapacità di corrente di sovraccarico avanzata

Saldatura ad alta temperatura garantita:

260°C/10 secondi/.375°C (9,5 mm) GROUPh a 5 lbs (2,3 kg) tensione

DATI MECHANICI

Caso: plastica stampata per trasferimento

poxy: ritardante della fiamma UL94V-O

Polarità: la banda di colore indica l'estremità del catodo

Piombo: piombo assiale placcato, soldato secondo il metodo MIL-STD-202E 208C

Posizione di montaggio: qualsiasi

Peso: 0,012 once, 0,33 grammi

Classificazione massima e caratteristiche elettriche

· Per la temperatura ambiente di 25°C, salvo diversa indicazione · per la fase singola, la mezza onda, i 60 Hz, il carico resistivo o induttivo · per il carico capacitivo la corrente di scarico è del 20%

Tensione massima RMS SIMBOLI 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unità
Tensione di blocco massima in CC

Vrrm

50 100 200

400

600 800 1000 V.
Corrente rettificata media massima in avanti 0,375 ̊ (9,5 mm) GROUPH di leCM di piombo a TA= 25°C Vrms 35 70 140 280 420 560 700 V.
Corrente di picco di avvolgimento di 8,3 mS, ondata sinusoidale singola a metà sovrapposta al carico nominale (metodo JEDEC) V.DC 50 100 200 400 600 800 100 V.
Tensione massima immediata di avanzamento @ 1,0A (Av) 1.0 A

Massima inversione in CCTA = 25°C

Corrente nominale Blocco della corrente continuaTA=100VTensione per elemento

IFSM 5.0 μA
Vf 50 μA
Corrente inversa massima a pieno carico, media del ciclo intero 0,375 ⋅ 9,5 mm di leCM GROUPh a TL=75°C - Sì. 30 μA
Capacità tipica di giunzione (nota 1) Cj 13 μA
Resistenza termica tipica (nota 2) RθJA 50 °C /w
Intervallo di temperatura delle giunzioni di funzionamento Tj -55 a +150 °C
Intervallo di temperatura di stoccaggio TSTG -55 a +150 °C

Nota:

1Misurata a 1,0 MHz e tensione inversa applicata di 4,0 V CC.

2. Resistenza termica dalla giunzione al terminale con pad di rame di 6,0 mm2 per ciascun terminale.

3La dimensione del chip è di 40 millimetri per 40 millimetri.

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