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Raddrizzatore ultraveloce della valanga SMD del chip BYG23M-E3/TR del circuito integrato di rf

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo 1000 V 1.5A
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pacchetto:
Pacchetto di basso profilo
Applicazione:
Ideale per la disposizione automatizzata
giunzione:
Giunzione passivata di vetro
Corrente:
Corrente inversa bassa
Tensione:
Alta tensione inversa
Tempo di recupero:
Tempo di recupero inverso ultraveloce
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Raddrizzatore ultraveloce della valanga SMD del chip BYG23M-E3-TR del circuito integrato di rf

CARATTERISTICHE

• Pacchetto di basso profilo

• Ideale per la disposizione automatizzata

• Giunzione passivata di vetro

• Corrente inversa bassa

• Alta tensione inversa

• Tempo di recupero inverso ultraveloce

• Livello 1 di raduni MSL, per J-STD-020, SE un picco massimo di °C 260

• °C della immersione 260 della lega per saldatura, 40 s

• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC

APPLICAZIONI TIPICHE

Per uso nell'applicazione ad alta frequenza guidar in follee e di rettifica in convertitori ed invertitori di commutazione di modo per il consumatore, il computer, automobilistico e telecomunicazione.

DATI MECCANICI

Caso: L'epossidico di DO-214AC (SMA) incontra la valutazione di infiammabilità dell'UL 94V-0

Terminali: I cavi, solderable placcati latta opaca per suffisso di JESD22-B102 e di J-STD-002 E3 per il grado di consumatore, incontra la prova delle basette della classe 1A di JESD 201, il suffisso HE3 per l'alto grado dell'affidabilità (CEA Q101 qualificata), incontra la prova delle basette della classe 2 di JESD 201

Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo

VALUTAZIONI MASSIME (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)

PARAMETRO SIMBOLO BYG23M UNITÀ
Codice della marcatura del dispositivo BYG23M
Tensione inversa di punta ripetitiva massima VRRM 1000 V
Corrente di andata media TUM = °C 65 SE (AVOIRDUPOIS) 1,5

Semionda sinusoidale di andata di punta di spettrografia di massa della punta di corrente 10 singola

sovrapposto sul carico nominale

IFSM 30

Energia di impulso nel modo della valanga, non ripetitivo

(spengere del carico induttivo) I (BR) R = 1 A, TJ = °C 25

ER 20 mJ
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione TJ, TSTG - 55 + a 150 C

VALUTAZIONI E CURVE di CARATTERISTICHE (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)

DIMENSIONI del PROFILO del PACCHETTO nei pollici (millimetri)

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