Raddrizzatori al silicio 1N5408
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Raddrizzatori al silicio Silizium Gleichrichter
Corrente nominale -- Nennstrom 3 A
Tensione inversa di punta ripetitiva 50… 1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Custodia in plastica ~ DO-201
Kunststoffgehäuse
Peso approssimativamente -- Gewicht CA 1 g
La materia plastica ha classificazione 94V-0 dell'UL
Klassifiziert di Gehäusematerial UL94V-0
Imballaggio standard legato nel pacchetto delle munizioni vedi la pagina 16
Gegurtet standard di Lieferform nel Munizione-pacchetto siehe Seite 16
Valutazioni massime Grenzwerte
Tipo Tipo |
Tensione inversa di punta ripetitiva Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] |
Tensione inversa di punta Stoßspitzensperrspannung dell'impulso VRSM [V] |
1N 5400 | 50 | 50 |
1N 5401 | 100 | 100 |
1N 5402 | 200 | 200 |
1N 5403 | 300 | 300 |
1N 5404 | 400 | 400 |
1N 5405 | 500 | 500 |
1N 5406 | 600 | 600 |
1N 5407 | 800 | 800 |
1N 5408 | 1000 | 1000 |
La media massima in avanti ha rettificato corrente, R-carico TUM = 50?? ℃ IFAV 3 A 1)
Dauergrenzstrom nel mit di Einwegschaltung R-ultimo
Picco ripetitivo in avanti corrente f > 15 hertz IFRM 30 A 1)
Periodischer Spitzenstrom
Punta di corrente di andata di punta, 50/60 hertz di semionda sinusoidale TUM = 25?? ℃ IFSM A 180/200
Eine 50/60 hertz del für di Stoßstrom di seno-Halbwelle
Valutazione per fondere -- Grenzlastintegral, t < 10="" ms="">A = 25?? ℃ i2 t 166 A2 s
Temperatura di giunzione di funzionamento -- Sperrschichttemperatur Tj -- 50… +175? ℃
Temperatura di stoccaggio -- Lagerungstemperatur ST -- 50… +175? ℃
Caratteristiche Kennwerte
Tensione di andata -- Durchlaflspannung Tj = 25? ℃ SE = 3 A VF< 1="">
Perdita corrente -- Sperrstrom Tj = 25? ℃ VR = VRRM IR< 10="">
Giunzione di resistenza termica ad aria ambientale RthA< 25="" K=""> 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht -- umgebende Luft
1) valido, se i cavi sono tenuti alla temperatura ambiente ad una distanza di 10 millimetri dal caso
Gültig, wenn muore Anschlußdrähte in un auf Umgebungstemperatur da 10 millimetri Abstand von Gehäuse gehalten per werden

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
