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La plastica per tutti gli usi del diodo di raddrizzatore di NPN BC848B incapsula i transistor

La plastica per tutti gli usi del diodo di raddrizzatore di NPN BC848B incapsula i transistor
La plastica per tutti gli usi del diodo di raddrizzatore di NPN BC848B incapsula i transistor
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 30 V 100 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 250
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
30 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
30 V
Tensione emittenta-base:
5 V
Corrente di collettore:
100 mA
Corrente di collettore di punta:
200 mA
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduzione

0,2 watt di NPN Plastica-incapsulano i transistor

Caratteristiche

* adatto a Nel migliore dei casi per l'inserzione automatica

* planari epitassiali muoiono costruzione

* per la commutazione, il driver di AF e le applicazioni dell'amplificatore

* tipo complementare di NPN disponibile (BC856)

* qualificato alle norme AEC-Q101 per alta affidabilità

Dati meccanici

* caso: SOT-23, plastica modellata

* materiale di caso: plastica modellata. Classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-0

* sensibilità di umidità: Livello 1 per J-STD-020C

* terminali: Solderable per MILL-STD-202, metodo 208

* placcatura senza piombo

* marcatura & polarità: Vedi il diagramma

* peso: le dimensioni di 0,008 grammi (approssimativamente)

Profilo del pacchetto

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