Nuovo & circuito originale 1.5KE220CA del raddrizzatore a ponte del diodo di raddrizzatore
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
SERIE 1.5KE
SOPPRESSORE TRANSITORIO PASSIVATO DI VETRO DI TENSIONE DELLA GIUNZIONE
TENSIONI 6,8 - 550 volt
Una potenza di picco di 1500 watt
Stato di stabilità di 5,0 watt
CARATTERISTICHE
• Il pacchetto di plastica ha Vo di classificazione 94 di infiammabilità del laboratorio dei sottoscrittori
• Giunzione passivata di vetro del chip in pacchetto di plastica modellato
• capacità di impulso 1500W a 1ms
• Capacità di pressione eccellente
• Inpedance basso dello zener
• Tempo di reazione veloce: in genere meno di 1,0 ps da 0 volt in BV minuto.
• IR tipico più di meno di 1µA sopra 10V
• La saldatura ad alta temperatura ha garantito: secondi 250°C/10 .375", lunghezza del cavo (di 9.5mm), 5lbs., tensione (2.3kg)
DATI MECCANICI
Caso: JEDEC DO-201 ha modellato di plastica
Terminali: Terminali assiali placcati, solderable per MIL-STD-750, metodo 2026
Polarità: Estremità positiva denotata banda di colore (catodo) eccetto bipolare
Posizione di montaggio: C'è ne
Peso: 0,045 once, 1,2 grammi
DISPOSITIVI PER LE APPLICAZIONI BIPOLARI
Per uso bidirezionale C o CA suffiggi per i tipi 1.5KE6.80 attraverso i tipi caratteristiche elettriche di 1.5KE550 (per esempio 1.5KE6.8C, 1.5KE550CA) si applicano in entrambe le direzioni.
VALUTAZIONI E CARATTERISTICHE MASSIME
Valutazioni alla temperatura ambiente 25°C salvo specificazione contraria.
| VALUTAZIONE | Simbolo | Valore | Unità |
| Dissipazione di potere di punta di impulso ai TUM = 25 °C, TP = 1ms (NOTA 1) | PPPM | Minimum1500 | Watt |
| Corrente di picco su 10/1000 di forma d'onda dei µs (nota 1) | IPPM | VEDI LA TABELLA 1 | Amp |
|
Dissipazione di potere dello stato di stabilità a lunghezze del cavo TL = 75°C .375", 9.5mm (nota 2) |
PM (AVOIRDUPOIS) | 6,5 | Watt |
|
Punta di corrente di andata di punta, singola semionda sinusoidale 8.3ms Sovrapposto sul carico nominale, (metodo di JEDEC) (nota 3) |
IFSM | 200 | Amp |
| Funzionamento e gamma di temperature di stoccaggio | TJ, TSTG | -55 + a 175 | °C |
NOTE:
1. Impulso di corrente non ripetitivo, per Fig.3 e ridotto le imposte su sopra °C Ta=25 per Fig.2.
2. Montato su area di rame del cuscinetto di 0.8x0.8» (20x20mm) per Fig.5.
3. la singola semionda sinusoidale 8.3ms, o l'onda quadra equivalente, il dovere cycle=4 pulsa per massimo di minuti.
VALUTAZIONE E SERIE DELLE CURVE CARATTERISTICHE 1.5KE
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC