Il diodo di raddrizzatore per tutti gli usi dei transistor (silicio di PNP) Pb−Free imballa BC807-25LT1G
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 300
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
negotiation
Metodo di pagamento:
T/T Western Union, Paypal
Specifiche
VCEO:
−45 V
VCBO:
−50 V
VEBO:
−5.0 V
IC:
mAdc −500
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introduzione
BC807−16LT1,
BC807−25LT1, BC807−40LT1
Uso generale
Transistor
Silicio di PNP
Caratteristiche
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
Le valutazioni massime sono quei valori oltre quale danno del dispositivo può accadere. Le valutazioni massime si sono applicate al dispositivo sono diversi valori limite di sforzo (non condizioni operative normali) e sono invalide simultaneamente. Se questi limiti sono oltrepassati, l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata, il danno può accadere e l'affidabilità può essere colpita.
VALUTAZIONI MASSIME
| Valutazione | Simbolo | Valore | Unità |
| Collettore - tensione dell'emettitore | VCEO | −45 | V |
| Collettore - tensione di base | VCBO | -50 | V |
| Tensione emittenta-base | VEBO | −5.0 | V |
| − della corrente di collettore continuo | IC | -500 | mAdc |
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