Raddrizzatore di superficie di potere di Schottky del supporto del diodo di raddrizzatore di MBRS340T3G
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
MBRS320T3, MBRS330T3, MBRS340T3
Raddrizzatore di superficie di potere di Schottky del supporto
Questi dispositivi impiegano il principio della barriera di Schottky in un diodo di potere del metal−to−silicon di ampia area. La geometria di State−of−the−art caratterizza la costruzione epitassiale con passività dell'ossido ed il contatto della sovrapposizione del metallo. Adatto a Nel migliore dei casi per bassa tensione, rettifica ad alta frequenza, o come diodi liberi di protezione di polarità e di giro, nelle applicazioni di superficie del supporto dove la dimensione compatta ed il peso sono critici al sistema.
Caratteristiche
• Piccolo pacchetto montabile di superficie compatto con i cavi di J−Bend
• Pacchetto rettangolare per il trattamento automatizzato
• Giunzione passivata ossido altamente stabile
• Caduta di tensione di andata molto bassa (0,5 V @ 3,0 massimi A, TJ = 25°C)
• Capacità eccellente di resistere ai passeggeri inversi di energia della valanga
• Guard−Ring per protezione di sforzo
• Impulso #1 di iso 7637 dei passaggi di dispositivo
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
Caratteristiche meccaniche
• Caso: UL a resina epossidica, modellata, a resina epossidica 94 V−0 di raduni
• Peso: 217 mg (approssimativamente)
• Rivestimento: Tutto l'esterno sorge resistente alla corrosione ed i cavi terminali sono prontamente Solderable
• Temperatura della superficie di montaggio e del cavo per gli scopi di saldatura: massimo 260°C per 10 secondi
• Polarità: La tacca nell'ente di plastica indica il cavo del catodo
• Il dispositivo soddisfa le richieste di MSL 1
• Valutazioni di ESD: Modello di macchina, C > modello del corpo umano di 400 V, 3B > 8000 V
CARATTERISTICHE ELETTRICHE TIPICHE

