Circuito dei diodi Zener di potere del silicio 1N5358B Chips Electronic Component
Specifiche
Dissipazione di potere massima:
5W
Z-tensione nominale:
8,7… 200 V
Custodia in plastica:
DO-201
Peso approssimativamente:
0,8 g
Tolleranza:
±5%
Tipo:
DIODI
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introduzione
Diodi di Silicio-potere-Zener 1N5358B
Diodi di Silicio-potere-Zener (tecnologia non planare)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Dissipazione di potere massima Maximale Verlustleistung Z-tensione nominale Nominale Z-Spannung
Custodia in plastica Kunststoffgehäuse Peso approssimativamente Gewicht CA La materia plastica ha classificazione 94V-0 dell'UL
Klassifiziert di Gehäusematerial UL94V-0 Imballaggio standard legato nel pacchetto delle munizioni Gegurtet standard di Lieferform nel Munizione-pacchetto
La tolleranza standard di tensione di Zener è ±5%). Altre tolleranze di tensione e più alte tensioni di Zener a richiesta.
Muoiono gli IST di Zener-Spannung del der di Toleranz nel der ±5% standard-Ausführung. Höhere di Andere Toleranzen oder
Auf Anfrage di Arbeitsspannungen.
Dissipazione di potere Verlustleistung
|
Ptot
|
5 W 1)
|
Dissipazione di potenza di picco non ripetitiva, t < 10="" ms="">
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms="">
|
PZSM
|
80 W
|
Temperatura di giunzione di funzionamento – Sperrschichttemperatur
Temperatura di stoccaggio – Lagerungstemperatur
|
Tj
ST
|
-50… +150°C
-50… +175°C
|
Giunzione di resistenza termica ad aria ambientale
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
|
RthA
|
< 25="" K="">
|
Giunzione di resistenza termica al terminale
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
|
RthL | <8 K=""> |
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MOQ:
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