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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Raddrizzatore di plastica ultraveloce di superficie del diodo di raddrizzatore del supporto ES2D-E3-52T

Raddrizzatore di plastica ultraveloce di superficie del diodo di raddrizzatore del supporto ES2D-E3-52T

Raddrizzatore di plastica ultraveloce di superficie del diodo di raddrizzatore del supporto ES2D-E3-52T
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fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo 200 V 2A A montaggio superficiale DO-214AA (SMB)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
SE (AVOIRDUPOIS):
2,0 A
RRM:
50 V - 200 V
IFSM:
50 A
TRR:
20 NS
VF:
0,90 V
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Raddrizzatore di plastica ultraveloce del supporto di superficie

CARATTERISTICHE

• Giunzione passivata di vetro del chip

• Ideale per la disposizione automatizzata

• Tempi di recupero ultraveloci per alta efficienza

• Tensione di andata bassa, perdite di potere basso

• Alta capacità di impulso di andata

• Livello 1 di raduni MSL, per J-STD-020, SE un picco massimo di °C 260

• °C della immersione 260 della lega per saldatura, 40 s

• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC

APPLICAZIONI TIPICHE

Per uso nell'applicazione ad alta frequenza guidar in follee e di rettifica in convertitori ed invertitori di commutazione di modo per il consumatore, il computer, automobilistico e telecomunicazione.

DATI MECCANICI

Caso: L'epossidico di DO-214AA (SMB) incontra la valutazione di infiammabilità dell'UL 94V-0

Terminali: I cavi, solderable placcati latta opaca per suffisso di JESD22-B102 e di J-STD-002 E3 per il grado di consumatore, incontra la prova delle basette della classe 1A di JESD 201, il suffisso HE3 per l'alto grado dell'affidabilità (CEA Q101 qualificata), incontra la prova delle basette della classe 2 di JESD 201

Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo

VALUTAZIONI MASSIME (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)

PARAMETRO SIMBOLO ES2A ES2B ES2C ES2D UNITÀ
Codice della marcatura del dispositivo Ea Eb CE ED
Tensione inversa di punta ripetitiva massima VRRM 50 100 150 200 V
Tensione massima di RMS VRMS 35 70 105 140 V
Tensione di didascalia massima di CC VCC 50 100 150 200 V
La media massima in avanti ha rettificato corrente a TL = °C 110 SE (AVOIRDUPOIS) 2,0
Semionda sinusoidale di andata di punta di spettrografia di massa della punta di corrente 8,3 singola sovrapposta sul carico nominale IFSM 50
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione TJ, TSTG 55 + a 150 °C

VALUTAZIONI E CURVE di CARATTERISTICHE (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)

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