Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > RADDRIZZATORI VELOCI originali del diodo di raddrizzatore FR107 nuovi & di RECUPERO

RADDRIZZATORI VELOCI originali del diodo di raddrizzatore FR107 nuovi & di RECUPERO

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo 1000 V 1A attraverso il foro DO-41
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
℃ corrente rettificato di andata medio massimo @TA=75:
1,0 A
Tensione di andata di punta a CC 1.0A:
1,3 V
Inverso massimo @TJ=25℃ corrente di CC:
μA 5,0
Resistenza termica tipica:
25 ℃/W
Gamma di temperatura di funzionamento:
-55 a +125℃
Gamma di temperature di stoccaggio:
-55 a +150℃
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

RADDRIZZATORI VELOCI DI RECUPERO

TENSIONE INVERSA - 50 - 1000 volt

CORRENTE DI ANDATA - 1,0 ampèri

CARATTERISTICHE

Commutazione veloce per l'alta efficienza

●Basso costo

●Giunzione diffusa

●Corrente inversa bassa di perdita

●Caduta di tensione di andata bassa

●Capacità a corrente forte

●La materia plastica porta il riconoscimento 94V-0 dell'UL

DATI MECCANICI

Caso: JEDEC DO-41 ha modellato di plastica

●Polarità: La banda di colore denota il catodo

●Peso: 0,012 once, 0,34 grammi

●Posizione di montaggio: C'è ne

VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE

Valutazione alla temperatura ambiente 25℃ salvo specificazione contraria. Carico resistente o induttivo di monofase, di semionda, di 60Hz. Per il carico capacitivo, riduca le imposte su corrente da 20%

CARATTERISTICHE SIMBOLO FR101 FR102 FR103 FR104 FR105 FR106 FR107 UNITÀ
Tensione inversa del picco ricorrente massimo VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
Tensione massima di RMS VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
Tensione di didascalia massima di CC VCC 50 100 200 400 600 800 1000 V

Medii massimi trasmettono

℃ corrente rettificato @TA=75

IO (AVOIRDUPOIS) 1,0

Punta di corrente di andata di punta

singola semionda sinusoidale 8.3ms

Eccellente imposto al carico nominale (metodo di JEDEC)

IFSM 30
Tensione di andata di punta a CC 1.0A VF 1,3 V

Inverso massimo @TJ=25℃ corrente di CC

a tensione di didascalia stimata di CC @TJ=100℃

IR

5,0

100

μA
Tempo di recupero inverso massimo (nota 1) Trr 150 250 500 NS
Capacità di giunzione tipica (Note2) CJ 25 15 PF
Resistenza termica tipica (Note3) RθJA 25 ℃/W
Gamma di temperatura di funzionamento TJ -55 - +125
Gamma di temperature di stoccaggio TSTG -55 - +150

NOTE: 1.Measured con IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A

2.Measured a 1,0 megahertz ed a tensione inversa applicata di CC 4.0V

giunzione di resistenza 3.Thermal ad ambientale.

FACCIA 41

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
20pcs