Invia messaggio
Casa > prodotti > Componenti elettronici > Diodo raddrizzatore di tipo ponte SMD Avalanche ultraveloce, BYG20J-E3/TR

Diodo raddrizzatore di tipo ponte SMD Avalanche ultraveloce, BYG20J-E3/TR

fabbricante:
VISHAY
Descrizione:
Supporto di superficie DO-214AC (SMA) del diodo 600 V 1.5A
Categoria:
Componenti elettronici
Prezzo:
0.1USD
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Voltaggio:
200 V - 600 V
Caratteristiche:
Pacchetto di basso profilo
Descrizione:
Cavi placcati latta opaca
Temperatura:
°C 260
utilizzo:
Raddrizzatore
Tipo:
Diodo
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduzione
BYG20J-E3-TR Rettificatore SMD a diodo ultraveloce
Caratteristiche
• pacchetto a basso profilo
• Ideale per il collocamento automatico
• Giunzione passivata in vetro
• Corrente inversa bassa
• Caratteristiche di recupero morbido
• Tempo di recupero inverso ultra veloce
• Risponde al livello MSL 1, per J-STD-020, LF picco massimo di
260 °C
• AEC-Q101 qualificato
• Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE e in
conformità ai RAEE 2002/96/CE
DATI MECHANICI
Caso:
DO-214AC (SMA)
Il composto di stampaggio soddisfa il criterio di infiammabilità UL 94 V-0
Base P/N-E3 - RoHS conforme, di qualità commerciale
Base P/NHE3 - conforme alla RoHS, qualificata AEC-Q101
Termini:
Cavi di stagno opaco, saldabili per
J-STD-002 e JESD 22-B102
E3 corrisponde alla prova di barba di classe 1A JESD 201, HE3 corrisponde alla prova di barba di classe 1A
soddisfa la prova JESD 201 classe 2 per i baffi
Polarità:
La banda di colore indica l'estremità del catodo
Caratteristiche primarie
Io...F (((AV)
1.5 A
V.RRM 200 V a 600 V
Io...FSM 30 A
Io...R 10,0 μA
V.F 1.4 V
trr 75 ns
ER 20 mJ
TJmassimo 150 °C

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
IRFP9240 Rettificatore a uso generale diodo P canale con 150W attraverso il foro

IRFP9240 Rettificatore a uso generale diodo P canale con 150W attraverso il foro

P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO1400AEFTR Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

VO1400AEFTR Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
VS-60CPQ150PBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE

VS-60CPQ150PBF Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE

Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
VS-36MB160A Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE

VS-36MB160A Transistor ad effetto campo NUOVO E ORIGINALE

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
IRF640PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

IRF640PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
IRF620PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

IRF620PBF Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE

N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
MBRB10100-E3/8W Nuovo e originale

MBRB10100-E3/8W Nuovo e originale

Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA25PB60PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI VS-HFA25PB60PBF

Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI TCMT1107

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI TCMT1107

Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 1N5245B-TAP

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI 1N5245B-TAP

Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5 PCS