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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > SMF10A-GS08 modulo di superficie del diodo di raddrizzatore del diodo 1n4007 del raddrizzatore a diodo di protezione del supporto ESD

SMF10A-GS08 modulo di superficie del diodo di raddrizzatore del diodo 1n4007 del raddrizzatore a diodo di protezione del supporto ESD

SMF10A-GS08 modulo di superficie del diodo di raddrizzatore del diodo 1n4007 del raddrizzatore a diodo di protezione del supporto ESD
SMF10A-GS08 modulo di superficie del diodo di raddrizzatore del diodo 1n4007 del raddrizzatore a diodo di protezione del supporto ESD
SMF10A-GS08 modulo di superficie del diodo di raddrizzatore del diodo 1n4007 del raddrizzatore a diodo di protezione del supporto ESD
SMF10A-GS08 modulo di superficie del diodo di raddrizzatore del diodo 1n4007 del raddrizzatore a diodo di protezione del supporto ESD
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
17V Morsetto 11,8A Ipp Tvs Diodi A montaggio superficiale DO-219AB (SMF)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Corrente di picco:
vedi «le caratteristiche elettriche»
Potenza dell'impulso di picco:
1000/600 di W
Punta di corrente di andata di punta:
20 A
Immunità di ESD:
± 30 chilovolt
Resistenza termica:
180 K/W
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Diodi di superficie di protezione del supporto ESD

CARATTERISTICHE

• Per le applicazioni montate di superficie

• Pacchetto di basso profilo

• Ottimizzato per le applicazioni di protezione di lan

• Ideale per protezione di ESD delle linee di dati conformemente all'IEC 61000-4-2 (IEC 801-2)

• Ideale per protezione di EFT delle linee di dati conformemente all'IEC 61000-4-4 (IEC 801-4)

• CRNA di ESD-protezione. ± di IEC 61000-4-2 30 chilovolt del contatto di ± di scarico 30 chilovolt di scarico dell'aria

• Resistenza incrementale bassa dell'impulso, capacità di pressione eccellente

• Capacità con una forma d'onda dei μs di 10/1000, tasso di ripetizione (duty cycle) di potere di impulso di punta di 200 W: 0.01% • Tempo di reazione veloce stesso

• La saldatura ad alta temperatura ha garantito: 260 °C/10 s ai terminali

• e3 - Sn

• AEC-Q101 si è qualificato

• Compiacente a RoHS 2002/95/EC direttivo

e nell'accordo a WEEE 2002/96/EC

CARATTERISTICHE TIPICHE

ELENCO DI COLLEZIONI

MB6S 20000 TOSHIBA 16+ CONTENTINO
MC3403DT 5158 TI 16+ CONTENTINO
MC74HC04ADR2G 40000 SU 16+ CONTENTINO
MT9M021IA3XTC 748 SU 15+ IBGA
MX25L25635FZ2I-10G 6000 MXIC 14+ WSON8
MC74HC4066DR2 30000 MOT 16+ CONTENTINO
MCP23S17-E/SS 5200 MICROCHIP 16+ SSOP
MP9720DS 5861 MP 16+ CONTENTINO
PT100S8 100 NIEC 13+ MODULO
LTM10C209A 448 TOSHIBA 15+ LCD
MLP1N06CLG 28000 SU 16+ TO-220
LT1461BCS8-2.5 9862 LT 15+ SOP-8
MOC3023SR2M 10000 FAIRCHILD 16+ CONTENTINO
MJ15025G/MJ15024G 2125 SU 14+ TO-3
P4SMAJ12A 25000 PANJIT 16+ DO-214AC
NCP3334DADJR2G 12800 SU 16+ SOP-8
XC4VFX60-11FFG1152C 100 XILINX 15+ BGA
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN-33
LT1934ES6-1 11534 LINEARE 16+ SOT-23-6
MB91F267APMC-GE1 3714 FUJITSU 14+ QFP
PESD12VS1UB 25000 16+ ZOLLA
PESD5V0S1UB 25000 16+ ZOLLA
LM2903VDR2G 10000 SU 12+ SOP-8
LPC1311FHN33 3642 11+ HVQFN-33
LM2903DR2G 40000 SU 14+ SOP-8
LM358D2G 25000 SU 14+ SOP-8
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