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Diodo di commutazione ad alta velocità del diodo di barriera di Schottky del diodo di barriera di RSX101VA-30TR Shottky

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo 30 V 1A A montaggio superficiale TUMD2
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VRM:
30 V
ver:
30 V
IO:
1 A
IFSM:
5 A
TJ:
150 °C
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Diodo di barriera di Shottky RSX101VA-30


►Applicazione

Rettifica generale.

►Caratteristiche

1) Piccolo tipo della muffa di potere. (TUMD2 (1913))

2) Alta affidabilità.

3) VF basso/IR basso. (0.43V a 1A/40µA a 30V)

►Silicio Planer epitassiale della struttura

Valutazioni massime assolute (Ta=25°C)

Parametro Simbolo Limiti Unità
Tensione inversa (picco ripetitivo) VRM

30

V
Tensione inversa (CC) VR 30
La media ha rettificato in avanti corrente IO 1
Picco di andata dell'impulso corrente (60Hz/1cyc.) IFSM 5
Temperatura di giunzione Tj 150 °C
Temperatura di stoccaggio Tstg −40 a 150

ELENCO DI COLLEZIONI

LMC7111BIM5 10000 NSC 14+ SOT-23-5
LM3876T 543 NSC 13+ ZIP-11
LMC6062AIM 4239 NSC 14+ SOP-8
LMV431BIMF 10000 NSC 15+ SOT-23
MAX8682ETM 5146 MASSIMO 16+ QFN
LMC6572BIM 4338 NSC 14+ SOP-14
LMC6482IMX 2999 NSC 15+ SOP-8
LM7301IM5 4926 NSC 15+ SOT-23-5
PAL007A 3260 MOSFET 14+ ZIP
MS5540-CM 6519 MEASUYEME 16+ SMD
88AP270MA2-BHE1C520 320 MARVELL 15+ BGA
MT9171AN 7471 ZARLINK 16+ SSOP
MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 SU 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ BEONE
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MODULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MODULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MODULO
MAX209EWG 7850 MASSIMO 14+ CONTENTINO
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
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