RADDRIZZATORE VELOCE di RECUPERO di recupero di RS1M-13-F di raddrizzatore del SUPPORTO DI SUPERFICIE veloce del diodo 1.0A
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
RADDRIZZATORE VELOCE di RECUPERO di recupero di RS1M-13-F di raddrizzatore del SUPPORTO DI SUPERFICIE veloce del diodo 1.0A
Caratteristiche
- ? Di vetro passivati muoiono costruzione?
- Tempo di recupero veloce per alta efficienza?
- Valutazione di sovraccarico dell'impulso al picco 30A?
- Adatto a Nel migliore dei casi per l'Assemblea automatizzata?
- Rivestimento senza piombo/RoHS compiacente
Dati meccanici
Caso: SMA/SMB?
Materiale di caso: Plastica modellata. Classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-0?
Sensibilità di umidità: Livello 1 per J-STD-020C?
Terminali: Placcatura senza piombo (Matte Tin Finish). Solderable per MIL-STD-202, metodo 208?
Polarità: Banda del catodo o tacca del catodo?
Peso di SMA: (approssimativo) 0,064 grammi?
Peso di SMB: (approssimativo) 0,093 grammi
Valutazioni massime e TUM di caratteristiche @ = 25°C elettrici salvo specificazione contraria
Carico resistente o induttivo di monofase, di semionda, di 60Hz.
Per il carico capacitivo, riduca le imposte su corrente da 20%.
Caratteristica | Simbolo | RS1 A/AB | RS1 B/BB | RS1 D/DB |
RS1 G/GB |
RS1 J/JB |
RS1 K/KB |
RS1 M/MB |
Unità |
Tensione inversa ripetitiva di punta Tensione inversa di punta di lavoro Tensione di didascalia di CC (nota 5) |
VRRM VRWM VR |
50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tensione inversa di RMS | VR (RMS) | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Corrente d'uscita rettificata media @ TT = 120°C |
IO | 1,0 | |||||||
Punta di corrente di andata di punta non ripetitiva, singola semionda sinusoidale 8.3ms sovrapposta sul carico nominale | IFSM | 30 | |||||||
Caduta di tensione di andata @ SE = 1.0A | VFM | 1,3 | V | ||||||
@ TUM = 25°C correnti inversi di punta a tensione di didascalia stimata di CC (TUM della nota 5) @ = 125°C |
IRM |
5,0 200 |
µA | ||||||
Tempo di recupero inverso (nota 3) | trr | 150 | 250 | 500 | NS | ||||
Capacità totale tipica (nota 2) | CT | 15 | PF | ||||||
Resistenza termica tipica, giunzione al terminale (nota 1) | RθJT | 20 | °C/W | ||||||
Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento | Tj, TSTG | -65 - +150 | °C |
Note:
1. Valido a condizione che i terminali sono tenuti alla temperatura ambiente.
2. Misurato a 1.0MHz ed a tensione inversa applicata di CC 4.0V.
3. Condizioni di prova inverse di recupero: SE = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. Si veda figura 5.
4. Revisione 13.2.2003 di RoHS. Le esenzioni di vetro ed ad alta temperatura della lega per saldatura si sono applicate.
5. Prova di impulso di breve durata usata per minimizzare effetto autoriscaldante.
, B, D, G, J, K, pacchetto di m. Suffix Designates SMA
L'ab, BB, DB, GB, JB, KB, suffisso di MB designa il pacchetto di SMB
Informazioni di segno