Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Raddrizzatore di superficie della barriera di Schottky del supporto del diodo di raddrizzatore di SS34 schottky

Raddrizzatore di superficie della barriera di Schottky del supporto del diodo di raddrizzatore di SS34 schottky

Raddrizzatore di superficie della barriera di Schottky del supporto del diodo di raddrizzatore di SS34 schottky
Raddrizzatore di superficie della barriera di Schottky del supporto del diodo di raddrizzatore di SS34 schottky
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo 40 V 3A A montaggio superficiale DO-214AB (SMC)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Corrente rettificato di andata medio massimo:
3,0 A
Punta di corrente di andata di punta:
80,0 A
Resistenza termica massima, giunzione ad ambientale:
17 ° C/W
Capacità di giunzione tipica:
300 PF
Gamma di temperature di funzionamento della giunzione:
-50 +125 a ° C
Gamma di temperature di stoccaggio:
65 +150 a ° C
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduzione

Raddrizzatore di superficie della barriera di Schottky del supporto del diodo di raddrizzatore di SS34 schottky

Caratteristiche

• Basso profilo in pacchetto di SMC

• Perdita di potere basso, alta efficienza

• Caduta di tensione di andata bassa

• Il pacchetto di plastica ha classificazione 94V-0 di infiammabilità del laboratorio dei sottoscrittori

• RoHS compiacente

Dati meccanici

Caso: Plastica modellata di JEDEC DO-214AB (SMC)

Terminali: La lega per saldatura ha placcato, solderable per MIL-STD-750, metodo 2026

Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo

Peso: 0,007 once, 0. 21 grammo

Valutazioni massime & caratteristiche elettriche (TAmbient =25ºC salvo indicazione contraria)

Simboli Descrizione SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS38 SS39 SS310 Unità
VRMS Tensione massima di RMS 14 21 28 35 42 56 63 70 V
VRRM Tensione inversa di punta ripetitiva massima 20 30 40 50 60 80 90 100 V
VCC Tensione di didascalia massima di CC 20 30 40 50 60 80 90 100 V
IO (AVOIRDUPOIS) La media massima in avanti ha rettificato corrente (FIG.1) 3,0
IFSM Punta di corrente di andata di punta (metodo di JEDEC) 80,0
VF Tensione di andata istantanea massima a 3.0A 0,50 0,70 0,85 V
IR Inverso massimo di CC corrente a tensione di didascalia stimata di CC TUM =25°C 2,0 mA
TUM =100°C 20,0
RθJA Resistenza termica massima, giunzione ad ambientale 17 °C/W
CJ Capacità di giunzione tipica (NOTA) 300 PF
TJ Gamma di temperature di funzionamento della giunzione -50 - +125 -50 - +150 °C
TSTG Gamma di temperature di stoccaggio -65 - +150 °C

NOTE: Misurato a 1MHz ed a tensione inversa dell'applicatore di 4.0VDC.

Curve di caratteristiche tipiche

Dimensioni nei pollici (millimetri)

PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.