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driver differenziale ad alta velocità DS90LV011ATMF/NOPB DS90LV011A del singolo circuito integrato di 3V LVDS

driver differenziale ad alta velocità DS90LV011ATMF/NOPB DS90LV011A del singolo circuito integrato di 3V LVDS
driver differenziale ad alta velocità DS90LV011ATMF/NOPB DS90LV011A del singolo circuito integrato di 3V LVDS
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
1/0 di driver LVDS SOT-23-5
Categoria:
Chip a circuito integrato
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di rifornimento (VDD):
−0.3V a +4V
Tensione in ingresso di LVCMOS (TTL DENTRO):
−0.3V a +3.6V
− di tensione in uscita di LVDS (OUT±):
-0.3V a +3.9V
Corrente di cortocircuito dell'uscita di LVDS:
24mA
Pacchetto di DBV:
7,22 mW/°C sopra +25°C
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Singolo driver differenziale ad alta velocità di DS90LV011A 3V LVDS

CARATTERISTICHE

• Si conforma alla norma di TIA/EIA-644-A

• tassi di commutazione di >400Mbps (200MHz)

• una direzione obliqua differenziale massima di 700 ps (tipico 100 ps)

• ritardo di propagazione massimo di 1,5 NS

• Singola alimentazione elettrica 3.3V

• segnalazione differenziale di ±350 sistemi MV

• Protezione spenta (uscite in DI TRE STATI)

• La piedinatura semplifica la disposizione del PWB

• Dissipazione di potere basso (23 Mw @ 3.3V tipici)

• Pacchetto di SOT-23 5-Lead

• SOT-23 versione Pin Compatible con SN65LVDS1

DESCRIZIONE

Il DS90LV011A è un singolo dispositivo del driver di LVDS ottimizzato per le alte applicazioni del tasso e di potere basso di dati. Il DS90LV011A è un driver corrente del modo permettendo che la dissipazione di potere rimanga bassa anche ad alta frequenza. Inoltre, la corrente di errore di cortocircuito inoltre è minimizzata. Il dispositivo è destinato per sostenere i tassi di dati al di sopra di 400Mbps (200MHz) che utilizza la tecnologia differenziale di segnalazione di bassa tensione (LVDS).

(1) tutti i typicals sono dati per: VDD = +3.3V e TUM = +25°C.

(2) questi parametri sono specificati da progettazione.

I limiti sono basati sull'analisi statistica della prestazione del dispositivo sopra PVT

(processo, tensione, temperatura) gamme.

(3) il CL comprende la capacità del dispositivo e della sonda.

(4) forma d'onda del generatore per tutte le prove salvo specificazione contraria:

f = 1 megahertz, ZO = 50Ω, ≤ 1 NS, ≤ 1 NS (10%-90%) di TR di tf.

(5) tSKD1, |tPLHD del − del tPHLD|, è la differenza di grandezza nel tempo di ritardo differenziale della propagazione fra il bordo andante del positivo ed il bordo andante negativo dello stesso canale.

ELENCO DI COLLEZIONI

BFR91 2100 PHI 16+ SOT-173
ICP-N15 1780 ROHM 14+ TO-92
BC817 15000 14+ SOT-23
ICL232CBEZT 2460 INTERSIL 13+ SOP-16
AP40T03GH 1600 APEC 14+ TO-252
CD74HC4053E 5850 TI 13+ IMMERSIONE
FW82801ER SL742 3460 INTEL 14+ BGA
CC1150RSTR 1380 TI 15+ QFN16
CG82NM10 QMJM 130 INTEL 14+ BGA
BAV21W-V-GS08 15000 VISHAY 15+ SOD123
HEF4001BT 1520 15+ CONTENTINO
D431000ACZ-70LL 2175 NEC 15+ IMMERSIONE
BD4745G-TR 5500 ROHM 15+ SOT23-5
ATMEGA32U4-AU 2500 ATMEL 13+ QFP-44
IRFB38N20DPBF 1500 IR 14+ TO-220
ATMEGA328P-AU 2500 ATMEL 16+ QFP-32
BA6287F-E2 2300 ROHM 16+ SOP-8
FDS9945 2200 FSC 15+ SOP-8
MBR20100CTG 10000 SU 16+ TO-220
DPA425SN 6900 POTERE 13+ TO-263
AD8331ARQZ 2450 ANNUNCIO 16+ SSOP
1SS389 12000 TOSHIBA 16+ SOD-523
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