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Mosfet di commutazione di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di potere di IRFZ44NPBF

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Canale N 55 V 49 A (Tc) 94 W (Tc) Foro passante TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V:
35 A
Pulsato vuoti il  corrente:
160 A
Dissipazione di potere:
94 W
Fattore riducente le imposte lineare:
0,63 W/°C
Tensione di Portone--fonte:
± 20 V
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Elenco di collezioni


UPC1688G 3000 NEC 16+ SOT-143
VIPER32 3000 St 16+ DIP-8
VN0300M 3000 VISHAY 16+ TO-92
VP0808 3000 VISHAY 14+ TO-92
ZX5T853G 3000 ZETEX 16+ SOT223
HEF4024BT 3001 PHILPS 16+ SO-14
L6565N 3002 St 15+ IMMERSIONE
MCP1700T-3002E/TT 3002 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1701AT-1802I/CB 3003 MICROCHIP 15+ SOT23-3
IRAMX20UP60A 3004 IR 12+ Na
74LVC1G384GW 3005 16+ SOT-353
TIP102 3008 St 12+ TO-220
TPS3825-33DBVT 3008 TI 16+ SOT-153
H20R1202 3033 16+ TO-247
IRF7504TR 3050 IR 16+ MSOP-8
A7800 3100 AVAGO 16+ SOP-8
H21A1 3100 FAIRCHILD 16+ DIP-4
IRFB52N15D 3100 IR 14+ TO-220
RTD2660-GR 3100 REALTEK 16+ QFP128
SN75C23243DGGR 3100 TI 16+ TSSOP-48P
GT60N321 3114 TOSHIBA 15+ - A 3PL
BTS426L1 3120 16+ TO-263
CM1213-08 3121 CMD 15+ MSOP10
2N1893 3200 MOT 12+ TO-39
2SK386 3200 TOSHIBA 16+ TO-220F
74HC377PW 3200 12+ TSSOP
ADM706SARZ 3200 ANNUNCIO 16+ CONTENTINO
ADP3338-1.8 3200 ANNUNCIO 16+ SOT223
BF513 3200 16+ SOT-23
BS801 3200 HOLTEK 16+ SOT23-6
CY7C68013A-128AXI 3200 CYPRESS 16+ LQFP
DS2431P 3200 MASSIMO 14+ TSOC-6
FEP16DTA 3200 FSC 16+ TO-220
L78M06CDT-TR 3200 St 16+ TO-252


IRFZ44N

Mosfet di commutazione di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di potere

►Tecnologia della trasformazione avanzata

►Su resistenza ultrabassa

►Valutazione dinamica di dv/dt

►temperatura di funzionamento 175°C

►Commutazione veloce

►Completamente valanga valutata

Descrizione

I MOSFETs avanzati di potere di HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria

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