Mosfet di commutazione di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di potere di IRFZ44NPBF
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Elenco di collezioni
UPC1688G | 3000 | NEC | 16+ | SOT-143 |
VIPER32 | 3000 | St | 16+ | DIP-8 |
VN0300M | 3000 | VISHAY | 16+ | TO-92 |
VP0808 | 3000 | VISHAY | 14+ | TO-92 |
ZX5T853G | 3000 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
HEF4024BT | 3001 | PHILPS | 16+ | SO-14 |
L6565N | 3002 | St | 15+ | IMMERSIONE |
MCP1700T-3002E/TT | 3002 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
MCP1701AT-1802I/CB | 3003 | MICROCHIP | 15+ | SOT23-3 |
IRAMX20UP60A | 3004 | IR | 12+ | Na |
74LVC1G384GW | 3005 | 16+ | SOT-353 | |
TIP102 | 3008 | St | 12+ | TO-220 |
TPS3825-33DBVT | 3008 | TI | 16+ | SOT-153 |
H20R1202 | 3033 | 16+ | TO-247 | |
IRF7504TR | 3050 | IR | 16+ | MSOP-8 |
A7800 | 3100 | AVAGO | 16+ | SOP-8 |
H21A1 | 3100 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-4 |
IRFB52N15D | 3100 | IR | 14+ | TO-220 |
RTD2660-GR | 3100 | REALTEK | 16+ | QFP128 |
SN75C23243DGGR | 3100 | TI | 16+ | TSSOP-48P |
GT60N321 | 3114 | TOSHIBA | 15+ | - A 3PL |
BTS426L1 | 3120 | 16+ | TO-263 | |
CM1213-08 | 3121 | CMD | 15+ | MSOP10 |
2N1893 | 3200 | MOT | 12+ | TO-39 |
2SK386 | 3200 | TOSHIBA | 16+ | TO-220F |
74HC377PW | 3200 | 12+ | TSSOP | |
ADM706SARZ | 3200 | ANNUNCIO | 16+ | CONTENTINO |
ADP3338-1.8 | 3200 | ANNUNCIO | 16+ | SOT223 |
BF513 | 3200 | 16+ | SOT-23 | |
BS801 | 3200 | HOLTEK | 16+ | SOT23-6 |
CY7C68013A-128AXI | 3200 | CYPRESS | 16+ | LQFP |
DS2431P | 3200 | MASSIMO | 14+ | TSOC-6 |
FEP16DTA | 3200 | FSC | 16+ | TO-220 |
L78M06CDT-TR | 3200 | St | 16+ | TO-252 |
IRFZ44N
Mosfet di commutazione di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di potere
►Tecnologia della trasformazione avanzata
►Su resistenza ultrabassa
►Valutazione dinamica di dv/dt
►temperatura di funzionamento 175°C
►Commutazione veloce
►Completamente valanga valutata
Descrizione
I MOSFETs avanzati di potere di HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
