Mosfet di commutazione di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di potere di IRFZ44NPBF
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Elenco di collezioni
| UPC1688G | 3000 | NEC | 16+ | SOT-143 |
| VIPER32 | 3000 | St | 16+ | DIP-8 |
| VN0300M | 3000 | VISHAY | 16+ | TO-92 |
| VP0808 | 3000 | VISHAY | 14+ | TO-92 |
| ZX5T853G | 3000 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
| HEF4024BT | 3001 | PHILPS | 16+ | SO-14 |
| L6565N | 3002 | St | 15+ | IMMERSIONE |
| MCP1700T-3002E/TT | 3002 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
| MCP1701AT-1802I/CB | 3003 | MICROCHIP | 15+ | SOT23-3 |
| IRAMX20UP60A | 3004 | IR | 12+ | Na |
| 74LVC1G384GW | 3005 | 16+ | SOT-353 | |
| TIP102 | 3008 | St | 12+ | TO-220 |
| TPS3825-33DBVT | 3008 | TI | 16+ | SOT-153 |
| H20R1202 | 3033 | 16+ | TO-247 | |
| IRF7504TR | 3050 | IR | 16+ | MSOP-8 |
| A7800 | 3100 | AVAGO | 16+ | SOP-8 |
| H21A1 | 3100 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-4 |
| IRFB52N15D | 3100 | IR | 14+ | TO-220 |
| RTD2660-GR | 3100 | REALTEK | 16+ | QFP128 |
| SN75C23243DGGR | 3100 | TI | 16+ | TSSOP-48P |
| GT60N321 | 3114 | TOSHIBA | 15+ | - A 3PL |
| BTS426L1 | 3120 | 16+ | TO-263 | |
| CM1213-08 | 3121 | CMD | 15+ | MSOP10 |
| 2N1893 | 3200 | MOT | 12+ | TO-39 |
| 2SK386 | 3200 | TOSHIBA | 16+ | TO-220F |
| 74HC377PW | 3200 | 12+ | TSSOP | |
| ADM706SARZ | 3200 | ANNUNCIO | 16+ | CONTENTINO |
| ADP3338-1.8 | 3200 | ANNUNCIO | 16+ | SOT223 |
| BF513 | 3200 | 16+ | SOT-23 | |
| BS801 | 3200 | HOLTEK | 16+ | SOT23-6 |
| CY7C68013A-128AXI | 3200 | CYPRESS | 16+ | LQFP |
| DS2431P | 3200 | MASSIMO | 14+ | TSOC-6 |
| FEP16DTA | 3200 | FSC | 16+ | TO-220 |
| L78M06CDT-TR | 3200 | St | 16+ | TO-252 |
IRFZ44N
Mosfet di commutazione di potere basso del mosfet di potere del MOSFET di potere
►Tecnologia della trasformazione avanzata
►Su resistenza ultrabassa
►Valutazione dinamica di dv/dt
►temperatura di funzionamento 175°C
►Commutazione veloce
►Completamente valanga valutata
Descrizione
I MOSFETs avanzati di potere di HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria

