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diodo di raddrizzatore 1N4004, diodo Zener per tutti gli usi dei raddrizzatori 18v

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo 400 V 1A Foro passante DO-41/DO-204AC
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione inversa ripetitiva di punta:
400 V
Tensione massima di RMS:
280 V
Tensione inversa di CC:
400 V
Tensione di andata massima @ 1,0 A:
1,1 V
Corrente inversa del pieno carico massimo:
µA 30
Capacità di giunzione tipica:
15pF
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
G30N60A4 1300 FAIRCHILD 15+ TO-3P
M74HC137B1R 1300 St 16+ IMMERSIONE
MB8421-12LP 1300 FUJITSU 16+ IMMERSIONE
MC33887DH 1300 FREESCAL 14+ HSOP-20
MSM6242BRS 1300 SU 14+ DIP-18
NE22 1300 IR 14+ TO-220
OPA134PA 1300 BB 16+ DIP-8
OPA2134PA 1300 BB 16+ DIP-8
TC4560BP 1300 TOS/NEC/H 13+ IMMERSIONE
74HCT688N 1320 PHI 15+ IMMERSIONE
DM9161AEP 1320 DAVICOM 16+ QFP
M430F149IPM 1320 TI 16+ QFP64
SN74HC645N 1320 TI 14+ DIP20
BTA26-800B 1325 St 14+ TO-3P
LT3508EFE 1350 LINEARE 14+ TSSOP16
UM3750A 1351 UMC 16+ CONTENTINO
MC34051D 1388 SU 16+ SOP16
FQP5N50C 1400 FAIRCHILD 13+ TO-220
IRFD420 1400 IR 15+ DIP-4
MAX1693EUB+ 1400 MASSIMO 16+ MSOP10
TLP3063F 1400 TOSHIBA 16+ IMMERSIONE
MBRF10100CT 1420 SSG 14+ TO-220
VN920B 1422 St 14+ SMD
74HCT4538N 1431 14+ IMMERSIONE
H5DU2562 1450 HYNIX 16+ TSOP
CY8C26643-24AXI 1455 GRIDO 16+ QFP
AO4710 1458 AOS 13+ SOP8
LH5116NA-10 1472 TAGLIENTE 15+ CONTENTINO
PAL007E 1480 PIONIERE 16+ ZIP-25
UCC27424DR 1491 TI 16+ SOP-8

1N4001 - 1N4007

I raddrizzatori per tutti gli usi da 1,0 ampèri

Caratteristiche

• Caduta di tensione di andata bassa.

• Alta capacità della punta di corrente.

Valutazioni massime assolute * TUM = 25°C salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro Valore Unità
IO

Corrente rettificata media.

375" TUM di lunghezza del cavo @ = 75°C

1,0
se (impulso)

Punta di corrente di andata di punta

una singola semionda sinusoidale di 8,3 spettrografie di massa

Sovrapposto sul carico nominale (metodo di JEDEC)

30
Palladio

Dissipazione totale del dispositivo

Riduca le imposte su sopra 25°C

2,5

20

W

mW/°C

RθJA Resistenza termica, giunzione ad ambientale 50 °C/W
Tstg Gamma di temperature di stoccaggio -55 - +175 °C
TJ Temperatura di giunzione di funzionamento -55 - +150 °C

le valutazioni *These sono valori limite sopra cui l'utilità di tutto il dispositivo a semiconduttore può essere alterata.

Caratteristiche tipiche

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