diodo di raddrizzatore 1N4004, diodo Zener per tutti gli usi dei raddrizzatori 18v
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| G30N60A4 | 1300 | FAIRCHILD | 15+ | TO-3P |
| M74HC137B1R | 1300 | St | 16+ | IMMERSIONE |
| MB8421-12LP | 1300 | FUJITSU | 16+ | IMMERSIONE |
| MC33887DH | 1300 | FREESCAL | 14+ | HSOP-20 |
| MSM6242BRS | 1300 | SU | 14+ | DIP-18 |
| NE22 | 1300 | IR | 14+ | TO-220 |
| OPA134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| OPA2134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| TC4560BP | 1300 | TOS/NEC/H | 13+ | IMMERSIONE |
| 74HCT688N | 1320 | PHI | 15+ | IMMERSIONE |
| DM9161AEP | 1320 | DAVICOM | 16+ | QFP |
| M430F149IPM | 1320 | TI | 16+ | QFP64 |
| SN74HC645N | 1320 | TI | 14+ | DIP20 |
| BTA26-800B | 1325 | St | 14+ | TO-3P |
| LT3508EFE | 1350 | LINEARE | 14+ | TSSOP16 |
| UM3750A | 1351 | UMC | 16+ | CONTENTINO |
| MC34051D | 1388 | SU | 16+ | SOP16 |
| FQP5N50C | 1400 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
| IRFD420 | 1400 | IR | 15+ | DIP-4 |
| MAX1693EUB+ | 1400 | MASSIMO | 16+ | MSOP10 |
| TLP3063F | 1400 | TOSHIBA | 16+ | IMMERSIONE |
| MBRF10100CT | 1420 | SSG | 14+ | TO-220 |
| VN920B | 1422 | St | 14+ | SMD |
| 74HCT4538N | 1431 | 14+ | IMMERSIONE | |
| H5DU2562 | 1450 | HYNIX | 16+ | TSOP |
| CY8C26643-24AXI | 1455 | GRIDO | 16+ | QFP |
| AO4710 | 1458 | AOS | 13+ | SOP8 |
| LH5116NA-10 | 1472 | TAGLIENTE | 15+ | CONTENTINO |
| PAL007E | 1480 | PIONIERE | 16+ | ZIP-25 |
| UCC27424DR | 1491 | TI | 16+ | SOP-8 |
1N4001 - 1N4007
I raddrizzatori per tutti gli usi da 1,0 ampèri
Caratteristiche
• Caduta di tensione di andata bassa.
• Alta capacità della punta di corrente.
Valutazioni massime assolute * TUM = 25°C salvo indicazione contraria
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| IO |
Corrente rettificata media. 375" TUM di lunghezza del cavo @ = 75°C |
1,0 | |
| se (impulso) |
Punta di corrente di andata di punta una singola semionda sinusoidale di 8,3 spettrografie di massa Sovrapposto sul carico nominale (metodo di JEDEC) |
30 | |
| Palladio |
Dissipazione totale del dispositivo Riduca le imposte su sopra 25°C |
2,5 20 |
W mW/°C |
| RθJA | Resistenza termica, giunzione ad ambientale | 50 | °C/W |
| Tstg | Gamma di temperature di stoccaggio | -55 - +175 | °C |
| TJ | Temperatura di giunzione di funzionamento | -55 - +150 | °C |
le valutazioni *These sono valori limite sopra cui l'utilità di tutto il dispositivo a semiconduttore può essere alterata.
Caratteristiche tipiche

