Dissipazione di potere planare del circuito di raddrizzatore del diodo Zener del silicio di 1N4753A 18v 1 W
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo Zener 36 V 1 W ±5% Foro passante DO-204AL (DO-41)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Dissipazione di potere:
1 W
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
℃ 200
Temperatura di stoccaggio:
- 65 + a ℃ 200
Giunzione di resistenza termica ad aria ambientale:
170 K/W
Tensione di andata a SE = 200 mA:
1,2 V
Pacchetto:
DO-41
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introduzione
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
|
1N4727A… 1N4764A
DIODI ZENER PLANARI DI POTERE DEL SILICIO
Valutazioni massime assolute (tum = ℃ 25)
| Parametro | Simbolo | Valore | Unità |
| Dissipazione di potere | Ptot | 1 1) | W |
| Temperatura di giunzione | Tj | 200 | ℃ |
| Gamma di temperature di stoccaggio | ST | - 65 + a 200 | ℃ |
1) Valido a condizione che i cavi ad una distanza di 8 millimetri dal caso sono tenuti alla temperatura ambiente.
Caratteristiche ai tum = ℃ 25
| Parametro | Simbolo | Massimo. | Unità |
| Giunzione di resistenza termica ad aria ambientale | RthA | 170 1) | K/W |
| Tensione di andata a SE = 200 mA | VF | 1,2 | V |
1) Valido a condizione che i cavi ad una distanza di 8 millimetri dal caso sono tenuti alla temperatura ambiente.
Caratteristiche di Breakdowm
Tj=constant (pulsato)
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MOQ:
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