Componenti di Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC del diodo di raddrizzatore di S2A-E3/52T
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Componenti di Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC del diodo di raddrizzatore di S2A-E3-52T
Una parte dell'elenco di collezioni
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
Ricerca 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
Ricerca 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | TAGLIENTE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRASPORTO 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
CAPPUCCIO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
CAPPUCCIO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PENTOLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
CAPPUCCIO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RICERCA RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RICERCA RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
CAPPUCCIO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
CAPPUCCIO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
Ricerca 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CASO 0805RC0805JR-073K3L di RICERCA 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Descrizione
Il R1LP0408C-C è un 4-Mbit che RAM statico ha organizzato 512 8 bit del × di kword. R1LP0408 C-C Series ha realizzato il rendimento elevato più ad alta densità e ed il basso consumo energetico impiegando la tecnologia della trasformazione di CMOS (cellula di memoria 6-transistor). Il R1LP0408 C-C Series offre a potere basso la dissipazione di standby; quindi, è adatto a backup della batteria. Ha imballato in un CONTENTINO di 32 perni, 32 perno TSOP II.
Caratteristiche
• Un singolo rifornimento di 5 V: Un ± 10% di 5 V
• Tempo di Access: 55/70 di NS (massimo)
• Dissipazione di potere: attivo: appoggio del di 10 mW/MHz (tipo): 4 µW (tipo)
• Memoria completamente statica. nessun orologio o stroboscopio cronometrante richiesto
• Parità d'accesso e tempi di ciclo
• Immissione dei dati ed uscita comuni. uscita dello stato del tre
• Direttamente TTL compatibile. tutti gli input ed uscite
• Operazione di sostegno della batteria.
• Temperatura di funzionamento: −20 a +70°C
Pin Arrangement

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
