2SC3265-Y, SE le componenti di elettronica del transistor del diodo di raddrizzatore scheggiano l'elettronica di IC
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 25 V 800 mA 120 MHz 200 mW A montaggio superficiale TO-236
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Gamma di temperature:
– 55°C a +150°C
termine di pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensione:
5V
Corrente:
160 mA
Pacchetto:
TO-236
Pacchetto della fabbrica:
Bobina
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introduzione
Le componenti di elettronica del transistor del diodo di raddrizzatore 2SC3265Y scheggiano l'elettronica di IC
Amplificatore di potenza a bassa frequenza
Applicazioni di commutazione di potenza di applicazioni
• Alto guadagno corrente di CC: hFE (1) = 100~320
• Tensione di saturazione bassa: VCE (si è seduto) = 0,4 V (massime) (IC = 500 mA, IB = 20 mA)
• Complementare a 2SA1298
Una parte dell'elenco di collezioni
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Ricerca 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Ricerca 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | TAGLIENTE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRASPORTO 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
| CAPPUCCIO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CAPPUCCIO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PENTOLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CAPPUCCIO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RICERCA RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RICERCA RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CAPPUCCIO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CAPPUCCIO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Ricerca 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L di RICERCA 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
| CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Valutazioni massime assolute
| Caratteristiche | Simbolo | Valutazione | Unità |
| tensione della Collettore-base | VCBO | 30 | V |
| tensione dell'Collettore-emettitore | VCEO | 25 | V |
| Tensione emittenta-base | VEBO | 5 | V |
| Corrente di collettore | IC | 800 | |
| Corrente di base | IB | 160 | mA |
| Dissipazione di potere del collettore | PC | 200 | Mw |
| Temperatura di giunzione | Tj | 150 | °C |
| Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | -55 - +150 | °C |
Dimensioni del pacchetto
unità: millimetro (tipo) 7529-002
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