Elettronica componente di IC del chip del transistor di Electrnocs del diodo di IPD60R380C6 Recitifier
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Elettronica componente di IC del chip del transistor di Electrnocs del diodo di IPD60R380C6 Recitifier
Transistor di effetto del giacimento del semiconduttore ad ossido-metallo del MOSFET
CARATTERISTICHE
• Estremamente - perdite basse dovuto FOM basso stesso Rdson*Qg e Eoss
• Irregolarità molto alta di commutazione • Di facile impiego/azionamento
• JEDEC1) si è qualificato, placcatura senza Pb, alogeno free2)
Descrizioni
transistor di potenza IPD60R380C6, IPI60R380C6 IPB60R380C6, Rev. 2,0, 2009-08-27 del pin 3 600V CoolMOS™ C6 di fonte dell'otturatore 1 del pin 2 dello scolo dello strato 2 di IPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalData
1 descrizione CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per i MOSFETs ad alta tensione di potere, progettata secondo il principio di superjunction (SJ) e pionieristica a dalle tecnologie.
La serie di CoolMOS™ C6 combina l'esperienza nel fornitore principale del MOSFET di SJ con innovazione di alta classe. I dispositivi risultanti fornire tutti i benefici di un MOSFET veloce di commutazione SJ mentre non sacrificando facilità d'uso.
Estremamente - le perdite basse della conduzione e di commutazione rendono le applicazioni di commutazione ancor più efficienti, più compatti, l'accendino ed il dispositivo di raffreddamento.
Applicazioni
Fasi di PFC, fasi duro di commutazione di PWM e fasi sonore di commutazione PWM per esempio il PC Silverbox, adattatore, LCD & PDP TV, illuminazione, server, le Telecomunicazioni, UPS e solare.
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (1)
VDS @ Tj, 650 V massime RDS (sopra), 0,38 massimo Qg, tipo 32 identificazione di nC, impulso 30 A ΜJ 400V 2,8 di Eoss @ Diodo di/dt 500 A/µs del corpo |
TRASPORTO BC847BLT1 | 18000 | SU | La CINA |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | La CINA |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | La CINA |
DIODO DF06S | 3000 | SETTEMBRE | La CINA |
CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | Il GIAPPONE |
DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODI | La MALESIA |
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | Il GIAPPONE |
Ricerca 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | La CINA |
Ricerca 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | La CINA |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | La MALESIA |
Ricerca 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | La CINA |
MUNIZIONI DI DIODO UF4007 | 500000 | MIC | La CINA |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
Ricerca 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | La CINA |
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
TRASPORTO MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODI | La MALESIA |
TRASPORTO STGW20NC60VD | 1000 | St | La MALESIA |
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | La TAILANDIA |
C.I MC33298DW | 1000 | MOT | La MALESIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | La MALESIA |
C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | Il GIAPPONE |
C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | Il GIAPPONE |
C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | FILIPPINE |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
TRIAC BT151-500R | 500000 | Il MAROCCO | |
C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
TRIAC TIC116M | 10000 | TI | La TAILANDIA |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | La MALESIA |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | La MALESIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
C.I CD40106BE | 250 | TI | La TAILANDIA |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | TAGLIENTE | Il GIAPPONE |
TRASPORTO NDT452AP | 5200 | FSC | La MALESIA |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | La TAILANDIA |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | SU | La MALESIA |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | SU | La MALESIA |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
C.I TPIC6595N | 10000 | TI | La TAILANDIA |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | La MALESIA |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | La CINA |
C.I CD4060BM | 500 | TI | La TAILANDIA |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | La MALESIA |
DIODO W08 | 500 | SETTEMBRE | La CINA |
C.I SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPPINE |
FOTOCELLULA 2SS52M | 500 | Honeywell | Il GIAPPONE |
C.I SN74HC02N | 1000 | TI | La TAILANDIA |
C.I CD4585BE | 250 | TI | La TAILANDIA |
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MICRON | La MALESIA |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | SU | La MALESIA |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

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