Diodi di raddrizzatore veloci di recupero del diodo di raddrizzatore di US1M-E3/61T SMA
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
US1A con US1M
Raddrizzatore ultraveloce del supporto di superficie
CARATTERISTICHE
• Pacchetto di basso profilo
• Ideale per la disposizione automatizzata
• Giunzione passivata di vetro del chip
• Tempo di recupero inverso ultraveloce
• Perdite di commutazione basse, alta efficienza
• Alta capacità di impulso di andata
• Livello 1 di raduni MSL, per J-STD-020, SE un picco massimo di °C 260
• °C della immersione 260 della lega per saldatura, 40 s
• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC
APPLICAZIONI TIPICHE
Per uso nell'applicazione ad alta frequenza guidar in follee e di rettifica in convertitori ed invertitori di commutazione di modo per il consumatore, il computer, automobilistico e telecomunicazione.
DATI MECCANICI
Caso: DO-214AC (SMA)
L'epossidico incontra la valutazione di infiammabilità dell'UL 94V-0
Terminali: La latta opaca ha placcato i cavi, solderable per J-STD-002 e JESD22-B102
Il suffisso E3 per il grado di consumatore, incontra la prova delle basette della classe 1A di JESD 201, il suffisso HE3 per l'alto grado dell'affidabilità (CEA Q101 qualificata), incontra la prova delle basette della classe 2 di JESD 201
Polarità: La banda di colore denota l'estremità del catodo
VALUTAZIONI MASSIME (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)
PARAMETRO | SIMBOLO | US1A | US1B | US1D | US1G | US1J | US1K | US1M | UNITÀ |
Codice della marcatura del dispositivo | UA | UB | UD | Ug | UJ | Il Regno Unito | UM | ||
Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Tensione massima di RMS | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
La media massima in avanti ha rettificato corrente a TL = °C 110 | SE (AVOIRDUPOIS) | 1,0 | |||||||
Semionda sinusoidale di andata di punta di spettrografia di massa della punta di corrente 8,3 singola sovrapposta sul carico nominale | IFSM | 30 | |||||||
Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento | TJ, TSTG | -55 - +150 | °C |
DIMENSIONI del PROFILO del PACCHETTO nei pollici (millimetri)
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
STM8S105K6T6C | 17768 | St | 14+ | LQFP32 |
STM32F429BIT6 | 494 | St | 14+ | LQFP208 |
STM32F407IGT6 | 755 | St | 14+ | LQFP176 |
STM32F429IIT6 | 563 | St | 14+ | LQFP176 |
STM32F207IGT6 | 788 | St | 15+ | LQFP-17 |
TW2826-LA2-CR | 1649 | INTERSIL | 12+ | LQFP144 |
STM32F103ZET6 | 1277 | St | 16+ | LQFP144 |
STM32F407ZET6 | 914 | St | 14+ | LQFP144 |
STM32F407ZGT6 | 758 | St | 13+ | LQFP144 |
STM32F429ZGT6 | 575 | St | 16+ | LQFP144 |
RTL8100CL-LF | 3092 | REALTEK | 13+ | LQFP128 |
RTL8365MB-CG | 1685 | REALTEK | 13+ | LQFP128 |
STM32F103VCT6 | 2156 | St | 15+ | LQFP100 |
STM32F103VET6 | 1865 | St | 15+ | LQFP100 |
STM32F107VCT6 | 1526 | St | 13+ | LQFP100 |
STM32F205VET6 | 935 | St | 16+ | LQFP100 |
STM32F207VCT6 | 1433 | St | 15+ | LQFP100 |
STM32F207VET6 | 1178 | St | 16+ | LQFP100 |
STM32F405VGT6 | 950 | St | 14+ | LQFP100 |
STM32F407VGT6 | 887 | St | 14+ | LQFP100 |
STM32F103RBT6 | 2249 | St | 14+ | LQFP |
STM32F103RET6 | 1514 | St | 15+ | LQFP |
STM32F205RBT6 | 1508 | St | 16+ | LQFP |
RLR4001 | 84000 | ROHM | 16+ | LL41 |
RLS4148TE-11 | 72600 | ROHM | 16+ | LL-34 |
RLS245TE-11 | 69500 | ROHM | 16+ | LL34 |
RLZ3.3B | 54000 | ROHM | 16+ | LL34 |
RLZ33B | 14400 | ROHM | 13+ | LL34 |
RLZTE-115.1B | 43800 | ROHM | 13+ | LL34 |
TMMBAT42FILM | 82500 | St | 09+ | LL34 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
