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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T

S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T

S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T
S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T
S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T
S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie DO-214AB (SMC) del diodo 1000 V 5A
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Gamma di temperature:
-65 a +150°C
termine di pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensione:
50V--1000V
Spedizione:
DHL, FEDEX, TNT, SME
Pacchetto:
DO-214AB
Pacchetto della fabbrica:
850/REEL
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduzione

S5M - E3 - transistor di elettronica di IC del chip del circuito integrato del diodo di raddrizzatore 57T

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Panoramica

! Caso: SMC/DO-214AB, plastica modellata

! Terminali: Lega per saldatura placcata, Solderable per MIL-STD-750, metodo 2026

! Polarità: Banda del catodo o tacca del catodo

! Marcatura: Tipo numero! Peso: 0,21 grammi (approssimativamente)

! Senza piombo: Per RoHS/versione senza piombo, aggiunga «- il suffisso di LF» al numero del pezzo, vedi la pagina 4

Funzioni

! Di vetro passivati muoiono costruzione

! Adatto a Nel migliore dei casi per l'Assemblea automatica B

! Caduta di tensione di andata bassa

! Valutazione di sovraccarico dell'impulso 100A al picco D

! Perdita di potere basso A

! Gommino di protezione incorporato F

! Il materiale della custodia in plastica ha classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-O

Tensione inversa ripetitiva di punta che lavora tensione di didascalia di punta di CC di tensione inversa

VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS

Tensione inversa VR (RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V

Corrente d'uscita rettificata media @TL = 75°C IO 5,0 A

Punta di corrente di andata di punta non ripetitiva 8.3ms

Singola semionda sinusoidale sovrapposta sul carico nominale (metodo) di JEDEC IFSM 100 A

Tensione di andata @IF = 5.0A VFM 1,15 V

Corrente inverso di punta @TA = 25°C

A tensione di didascalia stimata di CC @TA = 125°C

IRM 10 capacità di giunzione tipica di 250 µA (nota 1) Cj 40 PF

Resistenza termica tipica (nota 2) R? JL 10 °C/W

Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento Tj, TSTG -65 - °C +150

Una parte dell'elenco di collezioni

TRASPORTO BC848B, 215 1427/1KW SOT-23
DIODO FEP16DT FSC A1104/AB04 TO-220
TRANS. TIP31C FSC 2016/09/13/B08 TO-220
DIODO MUR860G SU 608 TO-220
DIODO MUR460RLG SU 1613 DO-201AD
UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R Taiyoyunden 1608 SMD1206
BZX84-C6V2 1610/Z4W SOT-23
RP164PJ331CS 330R SAMSUNG 20160922 SMD0603x4
RC1210JR-074R7L 1210 4R7 5% YAGEO 1638 SMD1210
LM833DR TI 0AMASD5 SOP-8
LMH6646MAX TI MUAB/MGAB SOP-8
LM8261M5 TI A45A SOT23-5
M24C04-WMN6TP STM K235Q SOP-8
RSX101VA-30TR ROHM R SOD-323
IRLML2502TRPBF IR G6109 SOT-23
CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC8NOK9 SMD0805
LM2936Z-5.0 NSC 81AX TO-92
HEF4538BT, 653 1610 SOP-16
DAC5571IDBVT TI D571 SOT23-6
DS36C279M/NOPB NSC 43RC SOP-8
1206 1R2 1% RC1206FR-071R2L YAGEO 1638 SMD1206
0603 120R 1% RC0603FR-07120RL YAGEO 1635 SMD0603
0603 22K 1% RC0603FR-0722KL YAGEO 1635 SMD0603
AT24C64CN-SH-T ATMEL 008/64C 1 SOP-8
TLC072CDGN TI TI8A/ADV MSOP-8
74HC238D 1625 SOP-16
S5M-E3/57T VISHAY 1603/5M SMC
US1M-E3/61T VISHAY 1628/UM SMA
MC78M05CDTX FSC 1A42AD TO-252
HY-SRF05 　 16+ 　

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