Diodi Zener del silicio dei diodi Zener del segnale del diodo di raddrizzatore BZX55C5V1 piccoli
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Diodo Zener 5,1 V 500 mW ±6% Foro passante DO-35
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Dissipazione di potere:
500 Mw
Corrente di Zener:
Ptot/Vz mA
Giunzione ad aria ambientale:
300 K/W
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
°C 175
Temperatura di stoccaggio:
- 65 + a °C 175
Tensione di andata (massimo):
1,5 V
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introduzione
BZX55-Series
Piccoli diodi Zener del segnale
CARATTERISTICHE
• Caratteristica inversa tagliente stessa
• Basso livello attuale inverso
• Stabilità molto alta
• A basso rumore
• AEC-Q101 si è qualificato
• Compiacente a RoHS 2002/95/EC direttivo e nell'accordo a WEEE 2002/96/EC
• senza alogeno secondo la definizione di IEC 61249-2-21
APPLICAZIONI
• Stabilizzazione di tensione
CARATTERISTICHE PRIMARIE
| PARAMETRO | VALORE | UNITÀ |
| Nom della gamma di VZ. | 2,4 - 75 | V |
| Prova IZT corrente | 2,5; 5 | mA |
| Specificazione di VZ | Corrente di impulso | |
| Int. costruzione | Singolo |
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
| NOME DI DISPOSITIVO | CODICE DI ORDINAZIONE | UNITÀ LEGATE PER BOBINA | QUANTITÀ DI ORDINE MINIMO |
| BZX55-series | BZX55-series-TR | 10 000 per 13" bobina | 30 000/box |
| BZX55-series | BZX55-series-TAP | 10 000 per ammopack (un nastro da 52 millimetri) | 30 000/box |
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (Tamb = °C 25, salvo specificazione contraria)
| PARAMETRO | CONDIZIONE DI PROVA | SIMBOLO | VALORE | UNITÀ |
| Dissipazione di potere | l = 4 millimetri, TL = °C 25 | Ptot | 500 | Mw |
| Zener corrente | IZ | Ptot/VZ | mA | |
| Giunzione ad aria ambientale | l = 4 millimetri, TL = costante | RthJA | 300 | K/W |
| Temperatura di giunzione | Tj | 175 | °C | |
| Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | - 65 + a 175 | °C | |
| Tensione di andata (massimo) | SE = 200 mA | VF | 1,5 | V |
DIMENSIONI del PACCHETTO nei millimetri (pollici): DO-35
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| LMV324MX | 5291 | NSC | 15+ | SOP-14 |
| LM3526MX-L | 2580 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| MC9S08QD4CSC | 4648 | FREESCALE | 16+ | CONTENTINO |
| LM3526MX-H | 2578 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| NMV1215SAC | 3580 | MURATA | 16+ | SORSATA |
| LM4853MM | 932 | NSC | 13+ | MSOP-10 |
| L9146 | 3917 | St | 15+ | SOP16 |
| L6920DCTR | 3378 | St | 15+ | MSOP8 |
| LM7915CT | 10000 | NSC | 15+ | TO-220 |
| MCP130T-270I/TT | 4930 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
| PIC16F689-I/SO | 5033 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
| MCP2515-I/P | 5212 | MICROCHIP | 15+ | IMMERSIONE |
| M25P20-VMN6TPB | 5194 | St | 12+ | CONTENTINO |
| MCP2210-I/SO | 5158 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
| LM2917N-8 | 1000 | NSC | 13+ | DIP-8 |
| LM675T | 1283 | NSC | 11+ | TO-220 |
| NJU3718G-TE2 | 2940 | CCR | 10+ | CONTENTINO |
| M95256-WMN6TP | 6597 | St | 15+ | CONTENTINO |
| OPA551FA/500 | 7980 | TI | 14+ | TO-263 |
| ZTX658 | 3090 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| PIC18F67K22-I/PT | 4278 | MICROCHIP | 14+ | TQFP |
| MAX503EAG+ | 4306 | MASSIMO | 14+ | SSOP |
| MCP121T-300E/TT | 10000 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
| LP2992AIM5-3.3 | 4743 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| MAX3221ECAE+T | 10100 | MASSIMO | 16+ | SSOP |
| MIC2954-03WS | 10000 | MICREL | 16+ | SOT-223 |
| MT4LC1M16E5TG-5 | 7359 | MICRON | 10+ | TSOP |
| LMR62014XMF | 2843 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| MB85RC64PNF-G-JNERE1 | 13287 | FUJITSU | 16+ | CONTENTINO |
| LM3409MY | 2864 | NSC | 14+ | MSOP-10 |
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
100pcs