Circuito integrato Chip Program Memory del diodo di raddrizzatore di SS26T3G
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Raddrizzatore di superficie di potere di Schottky del supporto
RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DI SCHOTTKY 2,0 AMPÈRI 60 VOLT
Caratteristiche
• Il pacchetto compatto con J−Bend conduce l'ideale per il trattamento automatizzato
• Giunzione passivata ossido altamente stabile
• Guardring per protezione contro le sovratensioni
• Caduta di tensione di andata bassa
• Il pacchetto di Pb−Free è caratteristiche meccaniche disponibili:
• Caso: Epossidico modellato
• UL a resina epossidica 94, V−O di raduni a 0,125 dentro
• Peso: 95 mg (approssimativamente)
• Banda di polarità del catodo
• Temperatura della superficie di montaggio e del cavo per gli scopi di saldatura: massimo 260°C per 10 secondi
• Disponibile in nastro da 12 millimetri, 2500 unità per bobina di 13 ″, aggiunga il suffisso di ìT3î al numero del pezzo
• Rivestimento: Tutto l'esterno sorge resistente alla corrosione ed i cavi terminali sono prontamente Solderable
• Valutazioni di ESD: Modello del corpo umano = modello di macchina 3B = C
• Marcatura: SS26
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (1) |
Tensione inversa ripetitiva di punta che lavora tensione di didascalia di punta di CC di tensione inversa VRRM VRWM VR 60 V
Corrente di andata rettificata media (a VR stimato, TL = 95°C) IO 2,0 A
Punta di corrente del picco di Non−Repetitive (impulso applicato alla semionda di stati di carico nominale, alla monofase, 60 hertz) IFSM 40 A
Temperatura di caso di funzionamento/di stoccaggio Tstg, TC −55 a °C +150
Temperatura di giunzione di funzionamento TJ −55 a °C +150
Tasso di tensione di cambiamento (VR stimato, TJ = 25°C) v di dv/dt 10.000? s
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PARTE DELLE AZIONE
TRANS. FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | SOT23-3 | |
C.I L7805CD2T-TR | 2500 | St | 14+ | D2PAK |
FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
SN65HVD485EDR | 1500 | TI | 16+ | SOP-8 |
SMBJ8.5CA | 7500 | VISHAY | 16+ | SMB |
PIC24FJ16GA004-I/PT | 1500 | MICROCHIP | 13+ | TQFP-44 |
C.I TLC072CDGNR | 5000 | TI | 05+ | MSOP-8 |
C.I SN74LS374N | 2000 | TI | 15+ | DIP-20 |
TRANS. BC817-16LT1G | 300000 | SU | 12+ | SOT-23 |
C.I TL074CN | 1000 | TI | 12+ | DIP-14 |
OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | SOP-6 |
TRIAC BT151-500R | 300000 | 16+ | TO-220 | |
C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
C.I WS79L05 | 100000 | La WS | 16+ | TO-92 |
RICERCA RL1206FR-070R75L | 100000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RICERCA RC1206FR-071R5L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RICERCA RC1206FR-071R2L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RICERCA RL1206FR-070R68L | 1000000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RICERCA RC0402FR-0722KL | 3000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RICERCA RC0402FR-0756RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RICERCA RC0402FR-0724RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RICERCA RC1206JR-072ML | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
CAPPUCCIO 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | SAMSUNG | 16+ | SMD1206 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
