Raddrizzatori della barriera di Schottky dei raddrizzatori di potere di MBR20100CTG Switchmode
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
MBR2080CT, MBR2090CT, MBR20100CT
Raddrizzatori di potere di SWITCHMODE™
RADDRIZZATORI DELLA BARRIERA DI SCHOTTKY
20 AMPÈRI
VOLT 80−100
Questa serie usa il principio della barriera di Schottky con un metallo della barriera del platino. Questi dispositivi dello state−of−the−art hanno le seguenti caratteristiche:
Caratteristiche
• 20 un il totale (10 A per gamba del diodo)
• Guard−Ring per protezione di sforzo
• Tensione di andata bassa
• temperatura di giunzione di funzionamento 175°C
• UL a resina epossidica 94 V−0 @ 0,125 di raduni dentro
• Perdita di potere basso/alta efficienza
• Alta capacità dell'impulso
• Conduzione memorizzata bassa del trasportatore di maggioranza della tassa
• Spedito 50 unità per tubo di plastica
• I pacchetti di Pb−Free sono Available*
Caratteristiche meccaniche:
• Caso: A resina epossidica, modellato
• Peso: 1,9 grammi (approssimativamente)
• Rivestimento: Tutto l'esterno sorge resistente alla corrosione ed i cavi terminali sono prontamente Solderable
• Temperatura del cavo per gli scopi di saldatura: massimo 260°C per 10 secondi
VALUTAZIONI MASSIME (per gamba del diodo)
| Valutazione | Simbolo | MBR | Unità | ||
| 2080CT | 2090CT | 20100CT | |||
|
Tensione inversa ripetitiva di punta Tensione inversa di punta di lavoro Tensione di didascalia di CC |
VRRM VRWM VR |
80 | 90 | 100 | V |
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Corrente di andata rettificata media (VR stimato) TC = 133°C |
SE (AVOIRDUPOIS) | 10 | |||
|
Corrente di andata ripetitiva di punta (Ha valutato VR, l'onda quadra, 20 chilocicli) TC = 133°C |
IFRM | 20 | |||
|
Punta di corrente di punta non ripetitiva (impulso applicato alla semionda di stati di carico nominale, alla monofase, 60 hertz) |
IFSM | 150 | |||
| Punta di corrente inversa ripetitiva di punta (2,0 s, 1,0 chilocicli) | IRRM | 0,5 | |||
| Temperatura di giunzione di funzionamento (nota 1) | TJ | -65 - +175 | °C | ||
| Temperatura di stoccaggio | Tstg | -65 - +175 | °C | ||
| Tasso di tensione di cambiamento (VR stimati) | dv/dt | 10000 | V/μs | ||
1. Il calore generato deve essere di meno che la conducibilità termica da Junction−to−Ambient: dPD/dTJ < 1="">
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| SI4435DYTRPBF | 16836 | IR | 15+ | SOP-8 |
| LD7575PS | 13250 | LD | 16+ | SOP-8 |
| TC1413NE | 2372 | MICROCHIP | 14+ | SOP-8 |
| TC4427COA | 30336 | MICROCHIP | 15+ | SOP-8 |
| TC7660COA | 16484 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| TC7660EOA | 16462 | MICROCHIP | 13+ | SOP-8 |
| TCN75AVOA | 13470 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| TCN75AVOA713 | 13228 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| UPA1728G-E1 | 11776 | NEC | 14+ | SOP-8 |
| UPC1678G | 32040 | NEC | 14+ | SOP-8 |
| UPC842G2-E2 | 12356 | NEC | 16+ | SOP-8 |
| TDA1308T/N2 | 7464 | 13+ | SOP-8 | |
| TDA1311AT/N2 | 17068 | 10+ | SOP-8 | |
| TDA7052AT/N2 | 16944 | 11+ | SOP-8 | |
| TDA8541T/N1 | 15924 | 16+ | SOP-8 | |
| TDA8551T/N1 | 4416 | 16+ | SOP-8 | |
| TEA1795T | 28692 | 14+ | SOP-8 | |
| UC3843BD1013TR | 12182 | SU | 13+ | SOP-8 |
| UC3845BVD1R2G | 16440 | SU | 10+ | SOP-8 |
| PT7A7514WEX | 13162 | PERICOM | 16+ | SOP-8 |
| TEA1104T | 7188 | PHI | 16+ | SOP-8 |
| LNK304DG | 14864 | POTERE | 15+ | SOP-8 |
| TNY280GN | 23484 | POTERE | 14+ | SOP-8 |
| TOP222GN-TL | 13817 | POTERE | 16+ | SOP-8 |
| TOP258GN-TL | 4572 | POTERE | 16+ | SOP-8 |
| TOP414GN | 2309 | POTERE | 14+ | SOP-8 |
| PT4207ESOH | 14834 | POWTECH | 11+ | SOP-8 |
| PS2501L-2-F3-A | 14812 | RENESAS | 16+ | SOP-8 |
| RT8284NGS | 8256 | RICHTEK | 16+ | SOP-8 |
| RT9018A-25PSP | 11512 | RICHTEK | 13+ | SOP-8 |

