Circuiti integrati per tutti gli usi di elettronica del transistor di BC817-25LT1G NPN
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Circuiti integrati per tutti gli usi di elettronica del transistor di BC817-25LT1G NPN
* alto guadagno e TIPO COMPLEMENTARE basso di tensioni di saturazione – DETTAGLIO di BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH
Caratteristiche
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
VALUTAZIONI MASSIME
Unità di valutazione di valore di simbolo
Tensione VCEO 45 V di Collector−Emitter
Tensione VCBO 50 V di Collector−Base
Tensione VEBO 5,0 V di Emitter−Base
MAdc continuo di IC 500 del − della corrente di collettore
Le valutazioni massime sono quei valori oltre quale danno del dispositivo può accadere. Le valutazioni massime si sono applicate al dispositivo sono diversi valori limite di sforzo (non condizioni operative normali) e sono invalide simultaneamente. Se questi limiti sono oltrepassati, l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata, il danno può accadere e l'affidabilità può essere colpita.
CARATTERISTICHE TERMICHE
Simbolo caratteristico massimo
Bordo totale di dissipazione FR−5 del dispositivo dell'unità, (noti 1) i TUM = 25°C
Riduca le imposte sopra 25°C palladio 225 1,8 sulla resistenza termica di Mw mW/°C,
Junction−to−Ambient RJA 556 °C/W
Substrato totale dell'allumina di dissipazione del dispositivo, (noti 2) i TUM = 25°C
Riduca le imposte su sopra 25°C palladio 300 2,4 il Mw mW/°C
Resistenza termica, Junction−to−Ambient RJA 417 °C/W
Temperatura TJ, Tstg −55 di stoccaggio e della giunzione a °C +150
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 dentro.
2. Allumina = 0,4 x 0,3 x 0,024 in allumina 99,5%.
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC