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Transistor per tutti gli usi NPN IC elettrico del silicio di BC846B

Transistor per tutti gli usi NPN IC elettrico del silicio di BC846B
Transistor per tutti gli usi NPN IC elettrico del silicio di BC846B
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz un supporto di superficie SOT-23-3 da 350 Mw
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Capacità di giunzione ypical di T t (Notes1):
4,0 PF
Caratteristiche:
Velocità di commutazione veloce.
Recupero inverso massimo (Notes2):
4,0 NS
Resistenza termica di aximum di m. R:
357' C/W
Gamma di temperature di stoccaggio:
-55 - +125
Tensione inversa:
75 V
Tensione inversa del eak di P V:
100V
Rettifica con il carico resistivo e f correnti (media) e a semi onda rettificate >=50 hertz:
150 mA
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduzione

Transistor per tutti gli usi NPN IC elettrico del silicio di BC846B

Serie BC846ALT1

Silicio per tutti gli usi dei transistor NPN

CARATTERISTICHE

• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili

• Livello di sensibilità di umidità: 1

• Modello del corpo umano del − di valutazione di ESD: Valutazione di >4000 V ESD

Modello di macchina del −: >400 V

VALUTAZIONI MASSIME

Unità di valutazione di valore di simbolo

Tensione BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 VCEO 65 dell'Collettore-emettitore 45 30 VCC

Tensione BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 VCBO 80 di Collector−Base 50 30 VCC

Tensione BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 VEBO 6,0 di Emitter−Base 6,0 5,0 VCC

MAdc continuo di IC 100 del − della corrente di collettore

Le valutazioni massime sono quei valori oltre quale danno del dispositivo può accadere. Le valutazioni massime si sono applicate al dispositivo sono diversi valori limite di sforzo (non condizioni operative normali) e sono invalide simultaneamente. Se questi limiti sono oltrepassati, l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata, il danno può accadere e l'affidabilità può essere colpita.

CARATTERISTICHE TERMICHE

Simbolo caratteristico Max Unit

Bordo totale di dissipazione FR−5 del dispositivo, (noti 1) i TUM = 25°C riducono le imposte su sopra 25°C palladio 225 1,8 il Mw mW/°C

Resistenza termica, Junction−to−Ambient (nota 1) RJA 556 °C/W

Substrato totale dell'allumina di dissipazione del dispositivo (TUM della nota 2) = 25°C riduce le imposte su sopra 25°C palladio 300 2,4 il Mw mW/°C

Resistenza termica, Junction−to−Ambient (nota 2) RJA 417 °C/W

Gamma di temperature di stoccaggio e della giunzione TJ, Tstg −55 a °C +150

1. FR−5 = 1,0? 0,75? 0,062 dentro.

2. Allumina = 0,4? 0,3? 0,024 in allumina 99,5%.

Marcatura

TIPO NUMERO Codice di segno TIPO NUMERO Codice di segno
BC846 1D∗ BC847A 1E*
BC846A 1A∗ BC847B 1F*
BC846B 1B∗ BC847C 1G*
BC847 1H*

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