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Transistor per tutti gli usi di KSP2907ATF

Transistor per tutti gli usi di KSP2907ATF
Transistor per tutti gli usi di KSP2907ATF
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 Mw attraverso il foro TO-92-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Payapl
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
-60 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
-60 V
Tensione emittenta-base:
-5 V
Corrente di collettore:
-600 mA
Dissipazione di potere del collettore:
625 Mw
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
150 °C
Temperatura di stoccaggio:
-55 ~ °C 150
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

KSP2907A

Transistor per tutti gli usi

• Tensione dell'Collettore-emettitore: VCEO= 60V

• Dissipazione di potere del collettore: PC =625mW (massimo)

• Riferisca a KSP2907 per i grafici

Transistor epitassiale del silicio di PNP

Valutazioni massime assolute Ta=25°C salvo indicazione contraria

Unità di valore del parametro di simbolo

Tensione -60 V della Collettore-base di VCBO

Tensione -60 V dell'Collettore-emettitore di VCEO

Tensione emittenta-base -5 V di VEBO

Corrente di collettore di IC -600 mA

Dissipazione di potere del collettore del PC 625 Mw

Temperatura di stoccaggio del °C TSTG di temperatura di giunzione di TJ 150 -55 ~ °C 150

DINIEGO

IL SEMICONDUTTORE DI FAIRCHILD RISERVA IL DIRITTO DI FARE I CAMBIAMENTI SENZA ULTERIORE AVVISO A TUTTI I PRODOTTI QUI MIGLIORARE L'AFFIDABILITÀ, LA FUNZIONE O LA PROGETTAZIONE. FAIRCHILD NON AMMETTE ALCUNA RESPONSABILITÀ CHE È IL RISULTATO DELL'APPLICAZIONE O DELL'USO DI ALCUN PRODOTTO O CIRCUITO DESCRITTO QUI; NESSUNO FA L'IT PER TRASPORTARE TUTTA LA LICENZA NELL'AMBITO DEI SUOI DIRITTI DI BREVETTO, NÉ I DIRITTI DI ALTRI.

POLITICA DEL SOSTEGNO VITALE

I PRODOTTI DI FAIRCHILD NON SONO AUTORIZZATI PER USO COME LE COMPONENTI CRITICHE IN DISPOSITIVI DEL SOSTEGNO VITALE O SISTEMI SENZA L'APPROVAZIONE SCRITTA PRECISA DI FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.

Simbolo Parametro Valore Unità
VCBO Tensione della Collettore-base -60 V
VCEO Tensione dell'Collettore-emettitore -60 V
VEBO Tensione emittenta-base -5 V
IC Corrente di collettore -600 mA
PC Dissipazione di potere del collettore 625 Mw
TJ Temperatura di giunzione 150 °C
TSTG Temperatura di stoccaggio -55 °C

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