Amplificatore per tutti gli usi del transistor KSP2907 ATA Equivalent PNP del Mosfet di potere
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 Mw attraverso il foro TO-92-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Features2:
• Dissipazione di potere del collettore: PC =625mW (massimo)
Caratteristiche:
• Tensione dell'Collettore-emettitore: VCEO= 60V
Features3:
• Suffisso «- la C» significa un collettore concentrare (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4:
• Non suffisso «- la C» significa un collettore laterale (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5:
• Disponibile come PN2907A
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Amplificatore equivalente per tutti gli usi del transistor KSP2907A PNP del Mosfet di potere
Caratteristiche
• Tensione dell'Collettore-emettitore: VCEO= 60V
• Dissipazione di potere del collettore: PC =625mW (massimo)
• Suffisso «- la C» significa un collettore concentrare (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
• Non suffisso «- la C» significa un collettore laterale (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
• Disponibile come PN2907A
Valutazioni massime assolute * tum = 25°C salvo indicazione contraria
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | -60 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | -60 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | -5 | V |
| IC | Corrente di collettore | -600 | mA |
| TJ | Temperatura di giunzione | +150 | °C |
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