Modo BSP315 SIPMOS di potenziamento di Manica del transistor P del Mosfet di potere del segnale
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie SOT-223 di P-Manica 50 V 1A 1.8W
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Linea principale:
CI, modulo, transistor, diodi, condensatore, resistenza ecc
Caratteristiche:
Canale di P
Features2:
Modo di potenziamento
Features3:
• Livello logico
Features4:
VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Pacchetto:
SOT-23
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduzione
Modo BSP315 SIPMOS di potenziamento di Manica del transistor P del Mosfet di potere del segnale
• Canale di P
• Modo di potenziamento
• Livello logico
• VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
tensione V (BR) di ripartizione di Scolo-fonte DSS = ƒ (Tj)
Impedenza termica transitoria Zth JA = parametro del ƒ (tp): D = tp/T
Valutazioni massime
| Parametro | Simbolo | Valori | Unità |
| Vuoti la tensione di fonte | VDS | -50 | V |
|
tensione del Scolo-portone RGS = kΩ 20 |
VDGR | -50 | |
| Tensione di fonte di portone | VGS | ± 20 | |
|
Corrente continua dello scolo TUM = °C 39 |
Identificazione | -1,1 | |
|
Scolo di CC corrente, TUM pulsati = °C 25 |
IDpuls | -4,4 | |
|
Dissipazione di potere TUM = °C 25 |
Ptot | 1,8 | W |
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MOQ:
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