Transistor di effetto di campo di modo di potenziamento di N-Manica del transistor del Mosfet di potere di AO3400A
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 1.4W (tum) SOT-23-3 di N-Manica 30 V 5.7A (tum)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Payapl
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
30 V
Tensione di Portone-fonte:
±12 V
Scolo pulsato B corrente:
25 A
Scolo continuo:
TA=25°C
Gamma di temperature di stoccaggio e della giunzione:
-55 a 150°C
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduzione
AO3400A
Transistor di effetto di campo di modo di potenziamento di N-Manica
Descrizione generale
Il AO3400A usa la tecnologia avanzata della fossa per fornire il RDS eccellente (SOPRA) e la tassa bassa del portone. Questo dispositivo è adatto ad uso come commutatore del carico o nelle applicazioni di PWM. Il prodotto standard AO3400A è senza Pb (raduni ROHS & Sony 259 specifiche).
Caratteristiche
VDS (v) = 30V
Identificazione = 5.7A (VGS = 10V)
RDS (SOPRA) < 26="">
RDS (SOPRA) < 32m="">
RDS (SOPRA) < 48m="">
| Caratteristiche termiche | |||||
| Parametro | Simbolo | Tipo | Massimo | Unità | |
| A Giunzione--ambientale massimo | ≤ 10s di t | RθJA | 70 | 90 | °C/W |
| A Giunzione--ambientale massimo | Equilibrio | 100 | 125 | °C/W | |
| Giunzione--cavo massimo C | Equilibrio | RθJL | 63 | 80 | °C/W |
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