Applicazione di commutazione per tutti gli usi BC856BLT3G del transistor del silicio di PNP
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 65 V 100 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23-3 (TO-236) da 300
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
-80V
tensione dell'Collettore-emettitore:
-65V
Tensione emittenta-base:
-5V
Corrente di collettore (CC):
-100 mA
Dissipazione di potere del collettore:
310 Mw
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
150 °C
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
BC856/857/858/859/860
Applicazioni dell'amplificatore e di commutazione
• Adatto ad inserzione automatica in circuiti spessi e di sottili pellicole
• A basso rumore: BC859, BC860
• Complemento a BC846… BC850
Caratteristiche tipiche
|
Simbolo |
Parametro | Valore | Unità |
| VEBO | Tensione emittenta-base | -5 | V |
| IC | Corrente di collettore (CC) | -100 | mA |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 310 | Mw |
| TJ | Temperatura di giunzione | 150 | °C |
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