Transistor (Npn) per le applicazioni generali di Af, alta corrente di collettore Bc817-40
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
50 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
45 V
Tensione emittenta-base:
5 V
Corrente di collettore - continua:
0,5 A
Dissipazione di potere del collettore:
0,3 W
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Transistor di AF del silicio di NPN
• Per le applicazioni generali di AF
• Alta corrente di collettore
• Guadagno a corrente forte
• Tensione di saturazione bassa dell'collettore-emettitore
• Tipi complementari: BC807… /W, BC808… /W (PNP)
• (RoHS compiacente) package1 senza Pb)
• Qualificato conciliando CEA Q101
VALUTAZIONI MASSIME (TA=25℃ salvo indicazione contraria)
| Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
| VCBO | Tensione della Collettore-base | 50 | V |
| VCEO | Tensione dell'Collettore-emettitore | 45 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | 5 | V |
| IC | Corrente di collettore - continua | 0,5 | |
| PC | Dissipazione di potere del collettore | 0,3 | W |
| Tj | Temperatura di giunzione | 150 | ℃ |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -55-150 | ℃ |
Caratteristiche tipiche
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MOQ:
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