Potere complementare Ttransistors BD139 del silicio
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 80 V 1,5 A W 1,25 attraverso il foro SOT-32-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
80V
tensione dell'Collettore-emettitore:
80V
Tensione emittenta-base:
5V
Corrente di collettore:
1.5A
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduzione
Potere complementare Ttransistors BD139/BD140 del silicio
DESCRIZIONE
Intented per uso in amplificatore di potenza e nelle applicazioni di commutazione.
| Parametro | l | Valore | Unità |
| Tensione della Collettore-base | VCBO | 80 | V |
| Tensione dell'Collettore-emettitore | VCEO | 80 | V |
| Tensione emittenta-base | VEBO | 5 | V |
| Corrente di collettore | IC | 1,5 | |
| Corrente di base | IB | 0,5 | |
| Dissipazione totale a | Ptot | 12,5 | W |
| Temperatura di giunzione di Max. Operating | Tj | 150 | Oc |
| Temperatura di stoccaggio | Tstg | -55~150oC | Oc |
| Parametro | Simbolo | Condizioni di prova | Minuto. | Tipo. | Massimo. | Unità |
| Corrente di taglio di collettore | ICEO | VCB =80V, IE =0 | -- | -- | 10 | uA |
| Corrente di taglio dell'emettitore | IEBO | VEB =5V, IC =0 | -- | -- | 10 | uA |
| Tensione di mantenimento dell'Collettore-emettitore | VCEO | IC =30MA, IB =0 | 80 | -- | -- | V |
| Guadagno corrente di CC |
hFE (1) hFE (2) |
VCE =2V, IC =0.5A VCE =2V, IC =150MA |
25 40 |
-- -- |
-- 250 |
|
| Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | VCE (si è seduto) | IC =0.5A, IB =50MA | -- | -- | 0,5 | V |
| Tensione di saturazione dell'emettitore di base | VBE (si è seduto) | VCE =2V, IC =0.5A | -- | -- | 1,0 | V |
| Prodotto di larghezza di banda di guadagno corrente | fT | VCE =10V, IC =500MA | 3 | -- | -- | Megahertz |
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