MOSFET FDV305N di PowerTrench di N-Manica del transistor del Mosfet di potere 20V
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 350mW (tum) SOT-23-3 di N-Manica 20 V 900mA (tum)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
20 V
Tensione di Portone-fonte:
± 12 V
Dissipazione di potere massima:
0,35 W
Corrente di ingresso:
±5 mA
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento:
– °C 55 - +150
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
MOSFET del di PowerTrench di N-Manica di FDV305N 20V
Descrizione generale
Questo MOSFET di N-Manica 20V usa il processo ad alta tensione del PowerTrench di Fairchild. È stato ottimizzato per le applicazioni della gestione di potere.
Applicazioni
• Commutatore del carico
• Protezione della batteria
• Gestione di potere
Caratteristiche
• 0,9 A, 20 V
MΩ 220 di RDS (SOPRA) = @ VGS = 4,5 V
MΩ 300 di RDS (SOPRA) = @ VGS = 2,5 V
• Tassa bassa del portone
• Velocità di commutazione veloce
• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA)
Valutazioni massime assolute
| Simbolo | Parametro | Valutazioni | Unità |
| VDSS | Tensione di Scolo-fonte | 20 | V |
| VGSS | Tensione di Portone-fonte | ± 12 | V |
| Identificazione |
Vuoti corrente – continuo – Pulsato |
0,9 2 |
|
| Palladio | Dissipazione di potere massima | 0,35 | W |
| TJ, TSTG | Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento | – 55 - +150 | °C |
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs
