Transistor NPN del Mosfet di potere BFR520 un transistor a larga banda di 9 gigahertz
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie SC-75 del transistor NPN 15V 70mA 9GHz 150mW di rf
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
20 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
15 V
Corrente di collettore di CC:
70 mA
Dissipazione di potere totale:
300 mW
capacità di risposte:
0,4 PF
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
NPN un transistor a larga banda di 9 gigahertz BFR520
CARATTERISTICHE
• Guadagno di alto potere
• Figura a basso rumore
• Alta frequenza di transizione
• La metalizzazione dell'oro assicura l'affidabilità eccellente.
DESCRIZIONE
Il BFR520 è un transistore epitassiale planare del silicio del npn, destinato alle applicazioni nella rf a fine frontale nelle applicazioni a larga banda nella gamma del gigahertz, quali i telefoni cellulari analogici e digitali, i telefoni cordless (CT1, CT2, DECT, ecc.), i rivelatori del radar, gli impaginatori ed i sintonizzatori della televisione via satellite (SATV) e gli amplificatori del ripetitore nei sistemi fibra-ottici. Il transistor è incapsulato in una busta di plastica SOT23
VALORI LIMITE
Conformemente al sistema massimo assoluto (IEC 134).
| SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | Minuto. | MASSIMO. | UNITÀ |
| VCBO | tensione della collettore-base | emettitore aperto | − | 20 | V |
| VCES | tensione dell'collettore-emettitore | RBE = 0 | − | 15 | V |
| VEBO | tensione emittenta-base | collettore aperto | − | 2,5 | V |
| CC DI C | corrente di collettore | − | 70 | mA | |
| Ptot | dissipazione di potere totale | fino a st = °C 97; nota 1 | − | 300 | Mw |
| Tstg | temperatura di stoccaggio | −65 | 150 | °C |
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