Il cavo a corrente forte del transistor del Mosfet di potere MR756 ha montato i raddrizzatori
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Raddrizzatori montati cavo a corrente forte
Caratteristiche
• La capacità corrente comparabile al telaio ha montato i raddrizzatori
• Alta capacità stessa dell'impulso
• Cassa isolata
• I pacchetti di Pb−Free sono caratteristiche meccaniche di Available*:
• Caso: A resina epossidica, modellato
• Peso: 2,5 grammi (approssimativamente)
• Rivestimento: Tutto l'esterno sorge resistente alla corrosione ed il cavo terminale è prontamente Solderable
• Temperatura del cavo per gli scopi di saldatura: massimo 260°C per 10 secondi
• Polarità: Banda di polarità del catodo
MR7 = codice di dispositivo
xx = 50, 51, 52, 54, 56 o 60
= pacchetto di Pb−Free
(Nota: Il micropunto può essere in qualsiasi posizione)
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
See ha dettagliato le informazioni d'ordinazione e di spedizione nella sezione di dimensioni del pacchetto alla pagina 6 di questa scheda di dati.
Per un input dell'onda quadra di ampiezza VM, il fattore di efficienza diventa:
(Il circuito a onda intera di A ha due volte queste efficienze)
Come la frequenza del segnale in ingresso è aumentata, il tempo di recupero inverso del diodo (figura 10) diventa significativa, con conseguente componente aumentante di tensione CA attraverso RL che è opposto nella polarità in avanti al corrente, quindi riducente il valore del σ di fattore di efficienza, come indicato su figura 9.
Dovrebbe essere sottolineato quella figura 9 efficienza di forma d'onda di manifestazioni soltanto; non fornisce una misura delle perdite del diodo. I dati sono stati ottenuti misurando la componente di CA di Vo con un vero voltometro di CA di rms e la componente di CC con un voltometro di CC. I dati sono stati utilizzati nell'equazione 1 per ottenere i punti per figura 9.

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