Transistor P del mosfet di alto potere SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET di Manica 20-V (D-S)
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
P-Manica 20 V 3.1A (TC) 860mW (tum), 1.6W (TC) supporto SOT-23-3 (TO-236) della superficie
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Vds:
- 20 V
Vgs:
± 8 V
Identificazione:
-3,1 A
Dm:
- 10 A
è:
-3,1 A
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduzione
SI2301CDS - T1 - transistor P del mosfet di alto potere E3 - MOSFET di Manica 20-V (D-S)
MOSFET di P-Manica 20-V (D-S)
CARATTERISTICHE
• opzione senza alogeno disponibile
• MOSFET di potere di TrenchFET®
APPLICAZIONI
• Commutatore del carico
| RIASSUNTO DEL PRODOTTO DEL MOSFET | |||
| VDS (v) | RDS (sopra) (Ω) | Identificazione (A) a | Qg (tipo.) |
| - 20 | 0,112 a VGS = - 4,5 V | - 3,1 | 3,3 nC |
| 0,142 a VGS = - 2,5 V | - 2,7 | ||
°C TIPICO di CARATTERISTICHE 25, salvo indicazione contraria
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